[发明专利]氢气的排气方法以及真空泵装置无效
| 申请号: | 201110035448.3 | 申请日: | 2011-01-31 |
| 公开(公告)号: | CN102169813A | 公开(公告)日: | 2011-08-31 |
| 发明(设计)人: | 山本真也;稻垣雅洋;林元气 | 申请(专利权)人: | 株式会社丰田自动织机 |
| 主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00 |
| 代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 李伟;王轶 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 氢气 排气 方法 以及 真空泵 装置 | ||
1.一种氢气的排气方法,由如下真空泵装置来排出氢气,该真空泵装置设置在氢气的排气通路上,其中串联连接有主泵以及至少一个副泵,并且在上述排气通路中的氢气的排气方向上,上述副泵配置在上述主泵的上游侧,该氢气的排气方法的特征在于,
在上述真空泵装置的驱动过程中,向上述排气通路中的氢气最先被吸入的副泵的排气区域中,供给粘性率高于上述氢气的稀释气体,并利用该稀释气体的粘性来提高上述氢气的输送性。
2.根据权利要求1所述的氢气的排气方法,其特征在于,
上述真空泵装置中,在上述主泵以及副泵上分别具有旋转轴和对上述旋转轴进行支承以使其能够旋转的轴承,且向上述轴承周边也供给稀释气体,
使向上述排气区域供给的上述稀释气体的供给量多于向上述主泵以及副泵的上述各轴承周边供给的上述稀释气体的各个供给量。
3.根据权利要求1所述的氢气的排气方法,其特征在于,上述主泵为如下多级式泵,即:沿着该主泵的旋转轴的轴向并列设置多级泵室,并且形成为从上述主泵的上述氢气的吸入口侧的泵室起随着朝向排气口侧的泵室,上述泵室的容积成为同等容积以下的容积,并且向上述多级泵室中的至少位于上述排气口侧的最后一级泵室供给上述稀释气体,其中,使向上述排气区域供给的上述稀释气体的供给量的上限为向上述最后一级泵室供给的上述稀释气体的供给量。
4.根据权利要求1所述的氢气的排气方法,其特征在于,将向上述排气区域供给的上述稀释气体的供给量设定为使上述氢气最先被吸入的上述副泵的排气区域即排气口处的稀释气体的浓度达到5%以上。
5.根据权利要求4所述的氢气的排气方法,其特征在于,上述排气口处的上述稀释气体的浓度为15~25%。
6.根据权利要求1~5中任意一项所述的氢气的排气方法,其特征在于,上述稀释气体是氮气。
7.一种真空泵装置,设置在氢气的排气通路上,其中串联连接有主泵以及至少一个副泵,并且在上述排气通路中的氢气的排气方向上,上述副泵配置在上述主泵的上游侧,其中,
该真空泵装置构成为,使供给粘性率高于上述氢气的稀释气体的导入通路连通于来自排气通路的氢气最先被吸入的副泵的排气区域,并在上述真空泵装置的驱动过程中,经由上述导入通路向上述排气区域供给上述稀释气体,并利用该稀释气体的粘性来提高上述氢气的输送性。
8.根据权利要求7所述的真空泵装置,其特征在于,构成为向上述主泵以及副泵的轴承周边,供给与上述稀释气体相同的稀释气体。
9.根据权利要求7所述的真空泵装置,其特征在于,上述导入通路设置在上述副泵的转子壳上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





