[发明专利]晶圆封装方法有效
| 申请号： | 201110034585.5 | 申请日： | 2011-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN102122624A | 公开（公告）日： | 2011-07-13 |
| 发明（设计）人： | 陶玉娟;石磊;杨国继 | 申请（专利权）人： | 南通富士通微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L21/56;H01L23/31 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 226006 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及晶圆封装方法，包括步骤：提供转载板，所述转载板上固定有封装体，所述封装体包括晶圆和封料层，所述晶圆的功能面暴露；在晶圆的芯片单元之间形成凹槽，所述凹槽贯穿所述晶圆；填充所述凹槽；在所述晶圆的功能面上形成保护层，所述保护层暴露所述晶圆功能面上的电性焊盘；在裸露的电性焊盘上形成电性输出端子；分离所述转载板；从所述凹槽处切割所述晶圆，形成芯片封装单元。与现有技术相比，本发明请求保护的晶圆封装方法在晶圆的芯片单元之间先形成凹槽，并在凹槽内填充封料层。因此，在沿着凹槽切割晶圆时，凹槽内填充的封料层即可对晶圆提供有效保护。在切割步骤完成后，保护层仍能够为芯片单元的表面及四周提供保护。 | ||
| 搜索关键词： | 封装 方法 | ||
【主权项】：
晶圆封装方法，其特征在于，包括步骤：提供转载板，所述转载板上固定有封装体，所述封装体包括晶圆和封料层，所述晶圆的功能面暴露；在晶圆的芯片单元之间形成凹槽，所述凹槽贯穿所述晶圆；填充所述凹槽；在所述晶圆的功能面上形成保护层，所述保护层暴露所述晶圆功能面上的电性焊盘；在裸露的电性焊盘上形成电性输出端子；分离所述转载板；从所述凹槽处切割所述晶圆，形成芯片封装单元。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
