[发明专利]半导体激光二极管发光单元及器件无效
| 申请号： | 201110033774.0 | 申请日： | 2011-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN102130423A | 公开（公告）日： | 2011-07-20 |
| 发明（设计）人： | 郑凯;王俊;熊聪;马骁宇 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/20 | 分类号： | H01S5/20;H01S5/343 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体激光二极管发光单元及器件。该发光单元输出激光的功率大于0.2W，其结构自下往上包括：第一限制层、第一波导层、量子阱层、第二波导层和第二限制层，其中：第一限制层和第二限制层，用于形成PN结进行载流子输入；第一波导层和第二波导层的厚度均介于400～600nm之间，用于形成激光传输的通路；量子阱层，用于作为有源区产生激光。本发明通过增加发光单元中波导层的厚度，能够有效地提高半导体激光二极管的COD阈值。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 激光二极管 发光 单元 器件 | ||
【主权项】：
一种半导体激光二极管发光单元，其特征在于，该发光单元输出激光的功率大于0.2W，其结构自下往上包括：第一限制层、第一波导层、量子阱层、第二波导层和第二限制层，其中：所述第一限制层和第二限制层，用于形成PN结进行载流子输入；所述第一波导层和第二波导层的厚度均介于400～600nm之间，用于形成激光传输的通路；所述量子阱层，用于作为有源区产生激光。
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