[发明专利]产生片内终结信号的电路和方法及使用它的半导体装置有效
| 申请号： | 201110029269.9 | 申请日： | 2011-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN102446546A | 公开（公告）日： | 2012-05-09 |
| 发明（设计）人： | 宋清基 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/4193 | 分类号： | G11C11/4193 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 郭放;张文 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种片内终结(ODT)信号发生电路的各个实施例。在一个示例性的实施例中，所述ODT信号发生电路可以包括潜伏时间单元和ODT控制信号发生单元。潜伏时间单元被配置为接收时钟信号和ODT信号。潜伏时间单元被配置为将ODT信号延迟预定时间来产生第一ODT信号。潜伏时间单元还被配置为将ODT信号延迟少于预定时间来产生第二ODT信号。ODT控制信号发生单元被配置为响应于控制信号而提供第一ODT信号和第二ODT信号中的一个作为ODT控制信号。 | ||
| 搜索关键词： | 产生 终结 信号 电路 方法 使用 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种片内终结ODT信号发生电路，包括：潜伏时间单元，所述潜伏时间单元被配置为接收时钟信号和ODT信号，并被配置为将所述ODT信号延迟预定时间以产生第一ODT信号，所述潜伏时间单元还被配置为将所述ODT信号延迟少于所述预定时间以产生第二ODT信号；以及ODT控制信号发生单元，所述ODT控制信号发生单元被配置为响应于控制信号来提供所述第一ODT信号和所述第二ODT信号中的一个作为ODT控制信号。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于海力士半导体有限公司，未经海力士半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110029269.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
