[发明专利]产生片内终结信号的电路和方法及使用它的半导体装置

权利要求书

1.一种片内终结ODT信号发生电路，包括：

潜伏时间单元，所述潜伏时间单元被配置为接收时钟信号和ODT信号，并被配置为将所述ODT信号延迟预定时间以产生第一ODT信号，所述潜伏时间单元还被配置为将所述ODT信号延迟少于所述预定时间以产生第二ODT信号；以及

ODT控制信号发生单元，所述ODT控制信号发生单元被配置为响应于控制信号来提供所述第一ODT信号和所述第二ODT信号中的一个作为ODT控制信号。

2.如权利要求1所述的ODT信号发生电路，其中，所述预定时间包括与潜伏时间信息相对应的时钟周期。

3.如权利要求1所述的ODT信号发生电路，其中，所述控制信号被输入以产生数据选通信号的与2个时钟周期相对应的前导码。

4.如权利要求3所述的ODT信号发生电路，其中，所述控制信号是从模式寄存器设置MRS施加的。

5.如权利要求2所述的ODT信号发生电路，其中，所述潜伏时间信息包括附加潜伏时间信息和列地址选通CAS写入潜伏CWL信息，并且所述潜伏时间单元包括：

附加潜伏时间单元，所述附加潜伏时间单元被配置为将所述ODT信号延迟与所述附加潜伏时间信息相对应的时钟周期；以及

CAS写入潜伏时间单元，所述CAS写入潜伏时间单元被配置为接收所述附加潜伏时间单元的输出，并将所述附加潜伏时间单元的输出延迟与所述CAS写入潜伏信息相对应的时钟周期。

6.如权利要求5所述的ODT信号发生电路，其中，所述CAS写入潜伏时间单元被配置为将所述附加潜伏时间单元的输出延迟与所述CAS写入潜伏信息相对应的时钟周期以产生所述第一ODT信号，并且将所述附加潜伏时间单元的输出延迟少于与所述CAS写入潜伏信息相对应的所述时钟周期以产生所述第二ODT信号。

7.一种半导体装置，包括：

ODT信号发生单元，所述ODT信号发生单元被配置为在第一操作模式下将ODT信号延迟预定时间以提供被延迟了的信号作为ODT控制信号，并且在第二操作模式下将所述ODT信号延迟少于所述预定时间以提供被延迟了的信号作为所述ODT控制信号；以及

数据选通驱动器，所述数据选通驱动器被配置为接收所述ODT控制信号以产生数据选通信号的前导码。

8.如权利要求7所述的半导体装置，其中，所述半导体装置被配置为以比在所述第一操作模式下高的速度而在所述第二操作模式下操作。

9.如权利要求7所述的半导体装置，其中，所述预定时间包括与潜伏时间信息相对应的时钟周期。

10.如权利要求9所述的半导体装置，其中，所述ODT信号发生单元包括：

潜伏时间单元，所述潜伏时间单元被配置为将所述ODT信号延迟与所述潜伏时间信息相对应的时钟周期以产生第一ODT信号，并且将所述ODT信号延迟少于与所述潜伏时间信息相对应的所述时钟周期来产生第二ODT信号；以及

ODT控制信号发生单元，所述ODT控制信号发生单元被配置为在所述第一操作模式下输出所述第一ODT信号，而在所述第二操作模式下输出所述第二ODT信号。

11.如权利要求10所述的半导体装置，其中，所述第一操作模式和所述第二操作模式是基于被输入以产生数据选通信号的与2个时钟周期相对应的前导码的控制信号而被指定的。

12.如权利要求11所述的半导体装置，其中，所述控制信号是从模式寄存器设置MRS施加的。

13.如权利要求10所述的半导体装置，其中，所述潜伏时间信息包括附加潜伏时间信息和CAS写入潜伏CWL信息，并且所述潜伏时间单元包括：

附加潜伏时间单元，所述附加潜伏时间单元被配置为将所述ODT信号延迟与所述附加潜伏时间信息相对应的时钟周期；以及

CAS写入潜伏时间单元，所述CAS写入潜伏时间单元被配置为接收所述附加潜伏时间单元的输出，并将所述附加潜伏时间单元的输出延迟与所述CAS写入潜伏信息相对应的时钟周期。