[发明专利]电容脉冲放电装置、电容投切开关有效
申请号: | 201110029053.2 | 申请日: | 2011-01-19 |
公开(公告)号: | CN102611090B | 公开(公告)日: | 2017-04-05 |
发明(设计)人: | 郭桥石;邓达;赖斌龙 | 申请(专利权)人: | 广州市金矢电子有限公司 |
主分类号: | H02H9/04 | 分类号: | H02H9/04;H02J3/18 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 511450 广东省广州市番禺区石基*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明电容脉冲放电装置,由放电电阻与半导体开关串联组成电容放电回路,控制电路与半导体开关的控制端连接,由控制电路提供脉冲信号控制半导体开关导通,对电容残压进行大电流快速脉冲放电,使电容残压在极短的时间内放电到具备等电位二次投入的条件,采用本发明对电容残压放电,可以大大加快放电时间、极大的减小放电电阻能耗和温升、提高电容投切开关的二次投入速度;本发明的电容投切开关是在前面所述的电容脉冲放电装置的基础上,连接了可控硅,由本发明的电容投切开关作为对电力电容的动态投切,具有二次投入快、节能、经济性好、可靠性高的特点。 | ||
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【主权项】:
一种电容脉冲放电装置,其特征在于,包括:半导体开关;放电电阻,与所述半导体开关串联组成电容放电回路;控制电路,内置有一微控制器,连接有供电电源,与所述半导体开关的控制端连接,由所述控制电路提供脉冲信号控制所述半导体开关导通,电容残压通过所述放电电阻、所述半导体开关进行大电流快速脉冲放电,使电容残压在极短的时间内放电至具备等电位二次投入的条件;所述控制电路连接有电压过零信号输入端口,所述控制电路根据所述电压过零信号输入端口输入的信号,控制所述电容放电回路的所述半导体开关打开,进行放电,在放电期间,根据所述电压过零信号输入端口输入的信号,实时得知电容残压是否降至具备等电位投入条件,达到在最短时间放电。
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