[发明专利]激光加工方法

摘要

一种激光加工方法，能够在晶片内部沿间隔道形成变质层，而不会损伤形成于基板正面的功能层。该激光加工方法包括：晶片保持工序，在保持被加工物的卡盘工作台上以使基板背面在上侧的方式保持晶片；高度位置计测工序，从被保持在卡盘工作台上的晶片的基板的背面侧沿着间隔道进行照射，根据在基板背面以及正面反射的反射光，沿着间隔道计测从卡盘工作台的上表面到基板背面的第一高度位置、以及从卡盘工作台的上表面到基板正面的第二高度位置；变质层形成工序，使激光光线的会聚点位于在高度位置计测工序计测的第一高度位置与第二高度位置的中间部，并沿着间隔道进行照射，由此在基板内部沿着间隔道形成不会到达功能层的变质层。

主权项

一种激光加工方法，从晶片中的基板的背面侧向基板内部照射对基板具有透射性的波长的激光光线，在基板内部沿着间隔道形成变质层，所述晶片在基板的正面层叠有功能层，在利用形成为网格状的多个间隔道划分而得到的多个区域中形成有器件，所述激光加工方法的特征在于，其包括：晶片保持工序，在保持激光加工装置的被加工物的卡盘工作台上以使基板的背面在上侧的方式来保持晶片；高度位置计测工序，从基板的背面侧沿着间隔道照射检测光，根据在基板背面以及基板正面反射的反射光，沿着间隔道计测从卡盘工作台的上表面到基板背面的第一高度位置(h1)、以及从卡盘工作台的上表面到基板正面的第二高度位置(h2)，其中，该检测光是对被保持在卡盘工作台上的晶片的基板具有透射性的波长的光；以及变质层形成工序，使激光光线的会聚点位于在该高度位置计测工序中计测出的该第一高度位置(h1)与该第二高度位置(h2)的中间部，并沿着间隔道进行照射，由此在基板内部沿着间隔道形成未到达功能层的变质层。