[发明专利]一种在PN结硅芯片上形成减反射膜的方法无效
| 申请号： | 201110026291.8 | 申请日： | 2011-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN102071407A | 公开（公告）日： | 2011-05-25 |
| 发明（设计）人： | 吴春林;张文霞 | 申请（专利权）人： | 山东舜亦新能源有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/34 | 分类号： | C23C16/34;C23C16/50;H01L31/18 |
| 代理公司： | 济南泉城专利商标事务所 37218 | 代理人： | 张贵宾 |
| 地址： | 274300 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种太阳能电池制备减反射膜的方法，特别公开了一种在PN结硅芯片上形成减反射膜的方法。该在PN结硅芯片上形成减反射膜的方法，其特征在于：在PN结硅芯片表面沉积氮化硅膜层，沉积厚度为60-80nm，折射率为1.9-2.0，所采用的工艺气体包括NH3和SiH4，NH3和SiH4的比例为8-9.5∶1。因此，本发明的有益效果是：在太阳能电池组件的生产中，可以增强电池单元的转换效率；能够增加电池单元的受光面积，避免“热岛效应”的产生；使组件的抗酸碱腐蚀性能提高；节约原材料，降低生产成本；减少作业工序，节约人力物力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 pn 芯片 形成 减反射膜 方法 | ||
【主权项】：
一种在PN结硅芯片上形成减反射膜的方法，其特征在于：在PN结硅芯片表面沉积氮化硅膜层，沉积厚度为60‑80nm，折射率为1.9‑2.0，所采用的工艺气体包括NH3和SiH4，NH3和SiH4的比例为8‑9.5∶1。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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