[发明专利]一种用于制备多晶硅薄膜的多层膜结构无效
| 申请号： | 201110020959.8 | 申请日： | 2011-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN102610633A | 公开（公告）日： | 2012-07-25 |
| 发明（设计）人： | 赵淑云;郭海成;凌代年;邱成峰;彭华军;黄飚 | 申请（专利权）人： | 广东中显科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/786;H01L21/02;B32B9/04;B32B17/00;B32B15/00 |
| 代理公司： | 北京瑞恒信达知识产权代理事务所(普通合伙) 11382 | 代理人： | 王凤华 |
| 地址： | 528225 广东省佛山*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于制备多晶硅薄膜的多层膜结构，包括：绝缘衬底；位于所述绝缘衬底上的阻挡层及非晶硅薄膜层；位于所述非晶硅薄膜上的氧化物层，所述氧化物层上光刻有间距相同、尺寸相等的凹槽；位于所述氧化物层及凹槽表面的金属诱导层，其中，所述非晶硅薄膜经过退火处理后完全转变为连续带状晶畴多晶硅。利用本发明的多层膜结构可以在较短的退火时间内获得具有带状连续晶畴的多晶硅薄膜，使整个多晶硅薄膜成为薄膜晶体管的有源层。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 制备 多晶 薄膜 多层 膜结构 | ||
【主权项】：
一种用于制备多晶硅薄膜的多层膜结构，包括：绝缘衬底；位于所述绝缘衬底上的阻挡层及非晶硅薄膜层；位于所述非晶硅薄膜上的氧化物层，所述氧化物层上光刻有间距相同、尺寸相等的凹槽；位于所述氧化物层及凹槽表面的金属诱导层，其中，所述非晶硅薄膜经过退火处理后完全转变为连续带状晶畴多晶硅。
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