[发明专利]蚀刻设备及其控制方法有效
| 申请号： | 201110009638.8 | 申请日： | 2011-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN102163543A | 公开（公告）日： | 2011-08-24 |
| 发明（设计）人： | 张金良;黄柏文;林志忠 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 梁挥;尚群 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种蚀刻设备及其控制方法，该蚀刻设备包括蚀刻腔室、蚀刻液储存槽、清洁装置以及导电度监控装置。清洁装置具有风刀、第一流体管路、液体泵以及第一阀门，其中风刀设置于蚀刻腔室内，而第一流体管路的一端与风刀连接并相通，另一端则与液体泵连通，此外，第一阀门设置于第一流体管路上。导电度监控装置分别耦接第一阀门与蚀刻液储存槽，用以监控蚀刻液储存槽内的导电度及控制第一阀门的启闭。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 设备 及其 控制 方法 | ||
【主权项】：
一种蚀刻设备，其特征在于，包含：一蚀刻腔室；一蚀刻液储存槽；一清洁装置，具有一风刀、一第一流体管路、一液体泵以及一第一阀门，其中该风刀设置于该蚀刻腔室内，而该第一流体管路的一端与该风刀连接并相通，另一端则与该液体泵连通，此外，该第一阀门设置于该第一流体管路上；以及一导电度监控装置，分别耦接该第一阀门与该蚀刻液储存槽，用以监控该蚀刻液储存槽内的导电度及控制该第一阀门的启闭。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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