[发明专利]一种制备纳米金属结构的方法

摘要

本发明公开了一种制备纳米金属结构的方法，涉及金属纳米技术，通过在硅表面实现一定深宽比的刻蚀结构，能够实现相互分立的纳米金属线条，从而扩展了传统方法的应用范围，利用高温接触和低温剥离，大大提高了工艺的成功率与可靠性，更加有利于实际应用。本发明方法提高了样品的制作成功率，可以在各类衬底上实现高精细、超光滑的纳米金属结构。克服了传统金属沉积剥离方法的缺陷，从而提供一种高效、精确，且能够实现分立结构的纳米金属结构的制作方法。

主权项

一种制备纳米金属结构的方法，其特征在于，包括步骤：1)取一平整、光滑的硅片，利用掩膜刻蚀或聚焦离子刻蚀使硅片上表面形成具有一定深宽比的纳米图形，再将其表面清洗干净并使用干燥氮气吹干；2)在步骤1)中制好的样品表面沉积金属材料，形成有图形结构的金属层；3)取一平整、光滑的基片，在基片上表面均匀旋涂一层具有一定黏度的胶层；4)将步骤2)中所得样品翻转，使金属层向下倒扣在步骤3)中所得有胶层的基片上表面，将金属层与胶层紧密接触；5)再对步骤4)所得样品进行烘烤，待烘烤结束后再使其迅速降温；通过热胀冷缩使金属层与胶层紧密附着；6)对步骤5)经过处理的样品，进行硅片剥离，将步骤1)中所述的硅片与步骤2)中所述的金属层分离，使金属层转移到步骤3)中所述的基片胶层上，从而形成高精细、超光滑的纳米金属结构。