[发明专利]锗硅HBT工艺中垂直寄生型PNP器件及制造方法

摘要

本发明公开了一种锗硅HBT工艺中垂直寄生型PNP器件，包括：集电区、基区、发射区以及P型赝埋层、N型多晶硅。赝埋层形成于集电区周围的浅槽场氧底部并和集电区形成接触，通过在赝埋层顶部形成的深孔接触引出集电极。N型多晶硅形成于基区上部并用来引出基极。发射区由形成于基区上P型锗硅外延层和P型多晶硅组成。本发明还公开了一种锗硅HBT工艺中垂直寄生型PNP器件的制造方法。本发明器件能用作高速、高增益BiCMOS电路中的输出器件，为电路提供多一种器件选择。本发明能有效缩小器件面积、减小PNP管的集电极电阻、提高器件的频率性能。本发明方法无须额外的工艺条件，能够降低生产成本。

主权项

一种锗硅HBT工艺中垂直寄生型PNP器件，形成于硅衬底上，有源区由浅槽场氧隔离，其特征在于，所述垂直寄生型PNP器件包括：一集电区，由形成于所述有源区中的一P型离子注入区组成，所述集电区的深度大于或等于所述浅槽场氧的底部深度；一赝埋层，由形成于所述集电区两侧的所述浅槽场氧底部的P型离子注入区组成，所述赝埋层横向延伸进入所述有源区并和所述集电区形成接触，在所述赝埋层顶部的所述浅槽场氧中形成有深孔接触，所述深孔接触和所述赝埋层接触并引出集电极；一基区，由形成于所述有源区中的一N型离子注入区组成；所述基区位于所述集电区上部并和所述集电区相接触；一发射区，由形成依次形成于所述基区上的一P型锗硅外延层和一P型多晶硅组成，所述发射区和所述基区相接触、所述发射区的横向尺寸小于所述基区的横向尺寸，在所述P型多晶硅上形成一金属接触，该金属接触引出发射极；一N型多晶硅，所述N型多晶硅形成于所述基区上部并和所述基区相接触，在所述N型多晶硅上形成一金属接触，该金属接触引出基极。