[发明专利]锗硅HBT工艺中垂直寄生型PNP器件及制造方法

权利要求书

1.一种锗硅HBT工艺中垂直寄生型PNP器件，形成于硅衬底上，有源区由浅槽场氧隔离，其特征在于，所述垂直寄生型PNP器件包括：

一集电区，由形成于所述有源区中的一P型离子注入区组成，所述集电区的深度大于或等于所述浅槽场氧的底部深度；

一赝埋层，由形成于所述集电区两侧的所述浅槽场氧底部的P型离子注入区组成，所述赝埋层横向延伸进入所述有源区并和所述集电区形成接触，在所述赝埋层顶部的所述浅槽场氧中形成有深孔接触，所述深孔接触和所述赝埋层接触并引出集电极；

一基区，由形成于所述有源区中的一N型离子注入区组成；所述基区位于所述集电区上部并和所述集电区相接触；

一发射区，由形成依次形成于所述基区上的一P型锗硅外延层和一P型多晶硅组成，所述发射区和所述基区相接触、所述发射区的横向尺寸小于所述基区的横向尺寸，在所述P型多晶硅上形成一金属接触，该金属接触引出发射极；

一N型多晶硅，所述N型多晶硅形成于所述基区上部并和所述基区相接触，在所述N型多晶硅上形成一金属接触，该金属接触引出基极。

2.如权利要求1所述的锗硅HBT工艺中垂直寄生型PNP器件，其特征在于：所述集电区的P型离子注入区为CMOS工艺中的P阱，注入杂质为硼，分两步注入实现：第一步注入剂量为1e11cm^-2～5e13cm^-2、注入能量为100keV～300keV；第二步注入剂量为5e11cm^-2～1e13cm^-2、注入能量为30keV～100keV；所述赝埋层的P型离子注入的工艺条件为：注入剂量为1e14cm^-2～1e16cm^-2、能量为小于15keV、注入杂质为硼或二氟化硼。

3.如权利要求1所述的锗硅HBT工艺中垂直寄生型PNP器件，其特征在于：所述基区的N型离子注入区的掺杂杂质的工艺条件为：注入杂质为磷或者砷、能量条件为100Kev～300Kev、剂量为1e14cm^-2～1e16cm^-2；所述N型多晶硅和锗硅HBT的发射极多晶硅的工艺条件相同，采用离子注入工艺进行掺杂，掺杂工艺条件为：注入剂量为1e13cm^-2～1e16cm^-2、能量为15keV～200keV、注入杂质为砷或磷。

4.如权利要求1所述的锗硅HBT工艺中垂直寄生型PNP器件，其特征在于：所述发射区的所述P型多晶硅的掺杂杂质的工艺条件和CMOS工艺中的P+注入杂质相同，所述CMOS工艺中的P+注入杂质的P型离子注入工艺条件为：注入剂量为大于1e15cm^-2、注入能量为100keV～200keV、注入杂质为硼或二氟化硼。