[发明专利]存储元件和存储装置有效
| 申请号： | 201110005533.5 | 申请日： | 2011-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN102185101A | 公开（公告）日： | 2011-09-14 |
| 发明（设计）人： | 保田周一郎;荒谷胜久;大场和博;清宏彰 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 陈桂香;武玉琴 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了存储元件和存储装置。所述存储元件包括依次设置的第一电极、存储层和第二电极。其中，所述存储层包括：高电阻层，所述高电阻层的阴离子成分内含有碲(Te)作为主要成分，并且所述高电阻层形成在所述第一电极侧；以及离子源层，所述离子源层含有至少一种金属元素且含有由碲(Te)、硫(S)和硒(Se)组成的组中的至少一种硫族元素，并且所述离子源层形成在所述第二电极侧。所述存储装置包括多个上述存储元件且包括用于选择性地向所述多个存储元件施加电压脉冲或电流脉冲的脉冲施加部。本发明的存储元件及存储装置能够改善擦除特性和写入保持特性，并且对于多次写入/擦除操作能够减小擦除状态中的电阻值间的差异。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 元件 装置 | ||
【主权项】：
一种存储元件，其包括依次设置的第一电极、存储层和第二电极，其中，所述存储层包括：高电阻层，所述高电阻层的阴离子成分内含有碲作为主要成分，并且所述高电阻层形成在所述第一电极侧；以及离子源层，所述离子源层含有至少一种金属元素且含有由碲、硫和硒组成的组中的至少一种硫族元素，并且所述离子源层形成在所述第二电极侧。
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