[发明专利]存储元件和存储装置

权利要求书

1.一种存储元件，其包括依次设置的第一电极、存储层和第二电极，

其中，所述存储层包括：

高电阻层，所述高电阻层的阴离子成分内含有碲作为主要成分，并且所述高电阻层形成在所述第一电极侧；以及

离子源层，所述离子源层含有至少一种金属元素且含有由碲、硫和硒组成的组中的至少一种硫族元素，并且所述离子源层形成在所述第二电极侧。

2.根据权利要求1所述的存储元件，其中，所述高电阻层含有AlTe、MgTe或ZnTe。

3.根据权利要求1或2所述的存储元件，其中，所述高电阻层含有AlTe，并且所述高电阻层内的Al含量为20原子％以上且为60原子％以下。

4.一种存储元件，其包括依次设置的第一电极、存储层和第二电极，

其中，所述存储层包括：

高电阻层，所述高电阻层形成在所述第一电极侧并且包括多个层，所述多个层中的至少一层的阴离子成分内含有碲作为主要成分；以及

离子源层，所述离子源层含有至少一种金属元素且含有由碲、硫和硒组成的组中的至少一种硫族元素，并且所述离子源层形成在所述第二电极侧。

5.根据权利要求4所述的存储元件，其中，所述高电阻层包括含有碲的第一高电阻层，且包括具有与所述第一高电阻层不同的组分和/或元素的第二高电阻层。

6.根据权利要求5所述的存储元件，其中，所述第一高电阻层形成在所述第一电极侧，并且所述第二高电阻层形成在所述离子源层侧。

7.根据权利要求5所述的存储元件，其中所述第一高电阻层形成在所述离子源层侧，并且所述第二高电阻层形成在所述第一电极侧。

8.根据权利要求5至7中任一项所述的存储元件，其中，所述第一高电阻层以Al-Te化合物、Mg-Te化合物或Zn-Te化合物作为主要成分，并且所述第二高电阻层以氧或氮作为主要成分。

9.根据权利要求1或4所述的存储元件，其中，当通过所述第一电极和所述第二电极向所述高电阻层施加预定的电压脉冲或电流脉冲时，所述高电阻层呈现出比所述离子源层的电阻值高的电阻值。

10.根据权利要求1或4所述的存储元件，其中，所述离子源层含有作为所述金属元素的铝。

11.根据权利要求1或4所述的存储元件，其中，通过向所述第一电极和所述第二电极施加的电压，能够在所述高电阻层内形成含有所述金属元素的传导路径，由此改变所述高电阻层的电阻值。

12.一种存储装置，其包括多个存储元件且包括脉冲施加部，各所述存储元件具有依次设置的第一电极、存储层和第二电极，所述脉冲施加部用于选择性地向所述多个存储元件施加电压脉冲或电流脉冲，

其中，所述存储层包括：

高电阻层，所述高电阻层的阴离子成分内含有碲作为主要成分，并且所述高电阻层与所述第一电极接触；以及

离子源层，所述离子源层含有至少一种金属元素且含有由碲、硫和硒组成的组中的至少一种硫族元素，并且所述离子源层与所述第二电极接触。

13.一种存储装置，其包括多个存储元件且包括脉冲施加部，各所述存储元件具有依次设置的第一电极、存储层和第二电极，所述脉冲施加部用于选择性地向所述多个存储元件施加电压脉冲或电流脉冲，

其中，所述存储层包括：

高电阻层，所述高电阻层的阴离子成分内含有碲作为主要成分，所述高电阻层与所述第一电极接触并且包括多个层；以及

离子源层，所述离子源层含有至少一种金属元素且含有由碲、硫和硒组成的组中的至少一种硫族元素，并且所述离子源层与所述第二电极接触。

14.一种存储装置，其包括多个存储元件且包括脉冲施加单元，各所述存储元件具有依次设置的第一电极、存储层和第二电极，所述脉冲施加单元被配置成选择性地向所述多个存储元件施加电压脉冲或电流脉冲，

其中，所述存储层包括：

高电阻层，所述高电阻层的阴离子成分内含有碲作为主要成分，并且所述高电阻层与所述第一电极接触；以及

离子源层，所述离子源层含有至少一种金属元素且含有由碲、硫和硒组成的组中的至少一种硫族元素，并且所述离子源层与所述第二电极接触。

15.一种存储装置，其包括多个存储元件且包括脉冲施加单元，各所述存储元件具有依次设置的第一电极、存储层和第二电极，所述脉冲施加单元被配置成选择性地向所述多个存储元件施加电压脉冲或电流脉冲，

其中，所述存储层包括：

高电阻层，所述高电阻层的阴离子成分内含有碲作为主要成分，所述高电阻层与所述第一电极接触并且包括多个层；以及

离子源层，所述离子源层含有至少一种金属元素且含有由碲、硫和硒组成的组中的至少一种硫族元素，并且所述离子源层与所述第二电极接触。