[发明专利]长耐久力的忆阻器的设备结构有效
| 申请号： | 201080069812.1 | 申请日： | 2010-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN103180949A | 公开（公告）日： | 2013-06-26 |
| 发明（设计）人： | J·杨;M·M·张;R.·S·威廉姆斯 | 申请（专利权）人： | 惠普发展公司;有限责任合伙企业 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈松涛;王英 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种忆阻器（100），包括：第一电极（102），由第一金属形成；第二电极（104），由第二材料形成，其中所述第二材料包括与所述第一金属不同的材料；以及切换层（110），设置在所述第一电极（102）与所述第二电极（104）之间。所述切换层（110）由包括所述第一金属的第一材料和第二非金属材料的成分形成，其中所述切换层（110）与所述第一电极（102）直接接触，并且其中至少一个导电通道（120）配置为由所述第一金属与所述第二非金属材料之间的相互作用在所述切换层（110）中形成。 | ||
| 搜索关键词： | 耐久 忆阻器 设备 结构 | ||
【主权项】：
一种忆阻器（100），包括：第一电极（102），由第一金属形成；第二电极（104），由第二材料形成，其中所述第二材料包括与所述第一金属不同的材料；以及切换层（110），设置在所述第一电极（102）与所述第二电极（104）之间，所述切换层（110）由包括所述第一金属的第一材料和第二非金属材料的成分形成，其中所述切换层（110）与所述第一电极（102）的所述第一金属直接接触，并且其中至少一个导电通道（120）配置为由所述第一金属与所述第二非金属材料之间的相互作用形成在所述切换层中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
