[发明专利]制备抗反射纳米结构的方法以及光学器件的制备方法有效
| 申请号： | 201080068388.9 | 申请日： | 2010-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN103053034A | 公开（公告）日： | 2013-04-17 |
| 发明（设计）人： | 余灿一;李用卓;宋泳旻 | 申请（专利权）人： | 光州科学技术院 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/20;B82B3/00 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理事务所(普通合伙) 11270 | 代理人： | 武晨燕;张颖玲 |
| 地址： | 韩国光*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种制备抗反射纳米结构的方法以及由该抗反射纳米结构集成的光学器件的制备方法。该制备抗反射纳米结构的方法包括：在基板上涂覆含金属离子与有机或者无机离子的结合物的溶液；采用退火工艺烧结所涂覆的溶液，来生长纳米级金属粒子；以及采用金属粒子作为掩模或者催化剂对基板进行化学刻蚀，来在基板的表面上形成亚波长纳米结构，由此采用简单的方法在短时间内制备出抗反射纳米结构而不用真空设备，来将半导体材料与空气之间的界面处的光反射最小化，且通过将该抗反射纳米结构应用于光学器件而以低成本制备大量具有良好发光效率及性能的光学器件。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 反射 纳米 结构 方法 以及 光学 器件 | ||
【主权项】：
一种制备抗反射纳米结构的方法，其特征在于，包括以下步骤：在基板上涂覆含金属离子与有机或者无机离子的结合物的溶液；采用退火工艺对所涂覆的所述溶液进行烧结，来生长纳米级金属粒子；以及采用所述金属粒子作为掩模或者催化剂对所述基板进行化学刻蚀，来在所述基板上形成亚波长纳米结构。
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