[发明专利]多栅III-V量子阱结构有效
| 申请号： | 201080060068.9 | 申请日： | 2010-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN102714179A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | R.皮拉里塞蒂;J.卡瓦列罗斯;N.穆克赫吉;M.拉多萨夫耶维奇;R.S.乔;U.沙;G.德维;T.拉克施特;M.V.梅茨 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 姜冰;王忠忠 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 形成微电子结构的方法被描述。那些方法的实施例包括在衬底上形成III-V三栅鳍、围绕III-V三栅鳍形成包层材料和围绕包层材料形成hik栅电介质。 | ||
| 搜索关键词： | 多栅 iii 量子 结构 | ||
【主权项】：
一种方法，包括： 在衬底上形成III‑V材料鳍； 在所述III‑V材料鳍上形成三角包层材料； 在所述三角包层材料上形成氧化物；和 围绕所述III‑V材料鳍形成矩形包层材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
