[发明专利]多栅III-V量子阱结构

权利要求书

1. 一种方法，包括：

   在衬底上形成III-V材料鳍；

   在所述III-V材料鳍上形成三角包层材料；

   在所述三角包层材料上形成氧化物；和

   围绕所述III-V材料鳍形成矩形包层材料。

2. 权利要求1所述的方法，进一步包括其中所述矩形包层材料包括布置在所述III-V材料鳍的顶表面和侧面上的III-V包层材料。

3. 权利要求1所述的方法，其中形成所述矩形包层材料包括：

   在所述III-V材料鳍上方的所述氧化物上形成抗蚀剂材料；

   蚀刻所述包层材料；和

   去除所述抗蚀剂。

4. 权利要求1所述的方法，进一步包括其中所述III-V材料鳍包括量子阱装置的III-V三栅沟道。

5. 权利要求4所述的方法，进一步包括在所述矩形包层材料上形成高k电介质，其中所述高k电介质包括hi k栅电介质。

6. 权利要求4所述的方法，进一步包括在包围所述III-V三栅沟道的包层材料上形成增量掺杂的壁垒。

7. 一种方法，包括：

   在衬底上形成III-V三栅鳍；和

   在所述III-V三栅鳍上直接形成hi k电介质。

8. 权利要求1所述的方法，其中形成所述III-V三栅鳍进一步包括在所述III-V三栅鳍的顶表面上形成具有增量掺杂的顶壁垒。

9. 一种方法，包括：

   在衬底上形成III-V三栅鳍；

   围绕所述III-V三栅鳍形成包层层；和

   围绕所述包层层形成hi k栅电介质。

10. 一种方法，包括：

   在第一衬底上形成第一纳米线沟道；

   在所述第一纳米线沟道上形成第二衬底；

   在所述第二衬底上形成第二纳米线沟道，以形成堆叠的结构；

   在所述堆叠的结构的侧面部分上形成源/漏区；和

   去除所述第一和第二衬底以形成堆叠的沟道三栅结构。

11. 权利要求10所述的方法，进一步包括：

   在所述第一和第二纳米线沟道上形成包层层；和

在所述包层层上形成高k电介质。

12. 权利要求10所述的方法，进一步包括：

在所述第一和第二纳米线沟道上形成包层层；和

在所述包层层上形成高k电介质。

13. 权利要求10所述的方法，其中去除所述第一和第二衬底包括从所述堆叠的结构选择性地蚀刻所述第一和第二衬底。

14. 权利要求10所述的方法，进一步包括其中所述第一衬底和所述第一沟道是晶格匹配的，并且其中所述第二衬底和所述第二纳米线是晶格匹配的。

15. 权利要求10所述的方法，进一步包括其中所述第一和第二纳米线沟道包括III-V三栅沟道，并且其中所述第一和第二衬底包括InP。

16. 权利要求10所述的方法，进一步包括其中所述堆叠的沟道三栅结构包括量子阱装置的部分。

17. 一种结构，包括：

   III-V三栅鳍，被布置在衬底上；和

   包层层，被布置在所述III-V三栅鳍的顶表面上和侧面部分上。

18. 权利要求17所述的结构，其中所述III-V三栅鳍包括InGaAs、InAs、InSb、和GaAs中的至少一个。

19. 权利要求17所述的结构，进一步包括围绕所述包层层而布置的hi k栅电介质层，其中所述结构包括量子阱装置。

20. 一种结构，包括：

   III-V三栅鳍，被布置在SOI衬底上；

   包层层，围绕所述III-V三栅鳍并在所述III-V三栅鳍上被布置；

   壁垒界面层，在围绕所述III-V三栅鳍的所述包层层上被布置；和

   hi k栅电介质，被布置在所述壁垒界面层上。