[发明专利]包括纳米线结构的方法和装置有效
| 申请号: | 201080056428.8 | 申请日: | 2010-10-15 |
| 公开(公告)号: | CN102714137A | 公开(公告)日: | 2012-10-03 |
| 发明(设计)人: | 阿米特·拉尔;卢曰瑞 | 申请(专利权)人: | 康奈尔大学 |
| 主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;B32B1/00 |
| 代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人: | 余朦;施蕾 |
| 地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | 本文提出了多种纳米线结构及其制造方法。本文的纳米线结构可以是周期性的或者非周期性的并且可具有对于特定的应用而优化结构性能的特性。 | ||
| 搜索关键词: | 包括 纳米 结构 方法 装置 | ||
【主权项】:
一种装置,包括:多个纳米线柱;支撑所述多个纳米线柱的衬底;其中所述多个纳米线柱被布置为周期性阵列,所述周期性阵列是二维的周期性阵列;其中所述周期性阵列的特征包括柱与柱的节距小于大约800nm;其中所述周期性阵列进一步的特征包括柱高宽比大于大约5:1。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





