[发明专利]包括纳米线结构的方法和装置

权利要求书

1.一种装置，包括：

多个纳米线柱；

支撑所述多个纳米线柱的衬底；

其中所述多个纳米线柱被布置为周期性阵列，所述周期性阵列是二维的周期性阵列；

其中所述周期性阵列的特征包括柱与柱的节距小于大约800nm；

其中所述周期性阵列进一步的特征包括柱高宽比大于大约5：1。

2.根据权利要求1的装置，其中所述周期性阵列的特征包括具有底部截面积大于顶部截面积的柱形。

3.根据权利要求1的装置，其中所述周期性阵列的特征包括圆锥形的柱形。

4.根据权利要求1的装置，其中所述周期性阵列的特征包括截头圆锥体的柱形。

5.根据权利要求1的装置，其中所述周期性阵列的特征包括所述多个柱中的相邻柱的底部相互接触。

6.根据权利要求1的装置，其中所述衬底包括单层材料。

7.根据权利要求1的装置，其中所述衬底包括多层的材料。

8.根据权利要求1的装置，其中所述衬底由柔性衬底提供。

9.根据权利要求1的装置，其中所述周期性阵列的柱与柱的节距小于600nm。

10.根据权利要求1的装置，其中所述周期性阵列的特征包括柱高宽比大于20：1。

11.根据权利要求1的装置，其中所述多个柱由半导体材料形成。

12.根据权利要求1的装置，其中所述多个柱由硅形成。

13.根据权利要求1的装置，其中所述多个柱是垂直延伸的。

14.根据权利要求1的装置，其中所述结构使用放射性同位素动力电子光刻蚀刻制造。

15.一种装置，包括：

多个纳米线柱；

支撑所述多个纳米线柱的衬底；

其中所述多个纳米线柱以周期性阵列的方式布置，所述周期性阵列是二维的周期性阵列；

其中所述周期性阵列进一步的特征包括大于约5：1的柱高宽比；以及

其中所述多个柱被配置以使得当所述装置暴露于从大约400nm到大约1000nm的波长范围的电磁辐射中时，所述装置具有至少90％的吸收率。

16.根据权利要求15的装置，其中所述多个纳米线柱由硅形成。

17.根据权利要求15的装置，其中所述多个柱中的柱形成半导体p-n结，以响应于电磁辐射的吸收而产生电流。

18.根据权利要求15的装置，其中所述多个柱被配置以使得当所述装置当暴露于从400nm到1000nm的波长范围的电磁辐射时，所述装置具有至少90％的吸收率。

19.根据权利要求15的装置，其中所述多个柱被配置以使得当所述装置当暴露于从大约200nm到大约1200nm的波长范围的电磁辐射时，所述装置具有至少90％的吸收率。

20.一种装置，包括：

多个纳米线柱；

支撑所述多个纳米线柱的衬底；

其中所述多个纳米线柱以周期性阵列的方式布置，所述周期性阵列是二维的周期性阵列；

其中所述周期性阵列被配置以使得当暴露于具有从大约200nm到大约1000nm范围的波长的电磁辐射中时，所述周期性阵列具有至少10％的反射率。

21.根据权利要求20的装置，其中所述周期性阵列被配置以使得当暴露于具有从大约200nm到大约1000nm范围的波长的电磁辐射中时，所述周期性阵列具有至少10％的反射率。

22.一种装置，包括：

包括多个纳米线柱的结构；

其中所述结构进一步包括支撑所述多个纳米线柱的衬底，所述多个纳米线柱由半导体材料形成；

其中所述多个纳米线柱以周期性阵列的方式布置，所述周期性阵列是二维的周期性阵列；

其中所述多个柱中的柱形成半导体p-n结，以响应于电磁辐射的吸收而产生电流。