[发明专利]用于低K电介质的低损害光致抗蚀剂剥离方法有效
| 申请号： | 201080056102.5 | 申请日： | 2010-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN102792423A | 公开（公告）日： | 2012-11-21 |
| 发明（设计）人： | 大卫·张;李钊;阿尼尔班·古哈;柯克·奥斯特洛夫斯基 | 申请（专利权）人： | 诺发系统有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/302 | 分类号： | H01L21/302 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 沈锦华 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供从电介质材料剥离光致抗蚀剂及移除蚀刻相关残留物的改进的方法。在本发明的一个方面中，若干方法涉及使用采用弱氧化剂及含氟化合物的基于氢的蚀刻工艺从电介质层移除材料。衬底温度维持在约160℃或更低的水平，例如低于约90℃。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 电介质 损害 光致抗蚀剂 剥离 方法 | ||
【主权项】：
一种在蚀刻工艺之后从作为部分制造的集成电路的一部分的工件上的电介质层移除材料的方法，所述方法包括：从包括氢及含氟化合物的气体形成第一等离子体；使所述工件暴露于所述第一等离子体；从包括氢剂的气体形成第二等离子体；及使所述工件暴露于所述第二等离子体，其中所述工件温度维持在低于约160℃的温度下。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
