[发明专利]用于低K电介质的低损害光致抗蚀剂剥离方法

权利要求书

1.一种在蚀刻工艺之后从作为部分制造的集成电路的一部分的工件上的电介质层移除材料的方法，所述方法包括：

从包括氢及含氟化合物的气体形成第一等离子体；

使所述工件暴露于所述第一等离子体；

从包括氢剂的气体形成第二等离子体；

及使所述工件暴露于所述第二等离子体，

其中所述工件温度维持在低于约160℃的温度下。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述工件温度维持在低于约100℃的温度下。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述工件温度维持在低于约90℃的温度下。

4.根据权利要求1到3中任一权利要求所述的方法，其中形成所述第一等离子体的所述气体进一步包括弱氧化剂。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述弱氧化剂包括二氧化碳、一氧化碳、氧化亚氮、一氧化氮、二氧化氮及水中的至少一者。

6.根据权利要求4所述的方法，其中所述弱氧化剂为二氧化碳。

7.根据权利要求1到6中任一权利要求所述的方法，其中所述含氟化合物包括三氟化氮(NF₃)、六氟化硫(SF₆)、六氟乙烷(C₂F₆)、四氟化碳(CF₄)、三氟甲烷(CHF₃)、二氟甲烷(CH₂F₂)、八氟丙烷(C₃F₈)、八氟环丁烷(C₄F₈)、八氟[1-]丁烷(C₄F₈)、八氟[2-]丁烷(C₄F₈)、八氟异丁烯(C₄F₈)及氟(F₂)中的至少一者。

8.根据权利要求7所述的方法，其中所述含氟化合物为三氟化氮。

9.根据权利要求1到8中任一权利要求所述的方法，其中所述第二等离子体大体上无氟。

10.根据权利要求1到9中任一权利要求所述的方法，其中所述工件未经历先前基于氧的等离子体光致抗蚀剂剥离操作。

11.根据权利要求1到10中任一权利要求所述的方法，其中从所述电介质层正移除的所述材料包括来自所述蚀刻工艺的光致抗蚀剂及/或残留物。

12.一种在蚀刻工艺之后从作为部分制造的集成电路的一部分的工件上的电介质层移除材料的方法，所述方法包括：

从包括氢、弱氧化剂及含氟化合物的气体形成第一等离子体；

使所述工件暴露于所述第一等离子体以由此从所述工件移除蚀刻相关残留物，其中在所述暴露于所述第一等离子体期间将所述工件温度维持在低于约160℃的温度下。

13.根据权利要求12所述的方法，其中在所述暴露于所述第一等离子体期间将所述工件温度维持在低于约100℃的温度下。

14.根据权利要求12所述的方法，其中在所述暴露于所述第一等离子体期间将所述工件温度维持在低于约90℃的温度下。

15.根权利要求12到14中任一权利要求所述的方法，其进一步包括：从包括氢及弱氧化剂的气体形成第二等离子体；以及使所述工件暴露于所述第二等离子体。

16.根据权利要求15所述的方法，其中在所述暴露于所述第二等离子体期间将所述工件温度维持在低于约160℃的温度下。

17.根据权利要求15所述的方法，其中在所述暴露于所述第二等离子体期间将所述工件温度维持在低于约90℃的温度下。

18.根据权利要求15到17中任一权利要求所述的方法，其中所述第二等离子体大体上无氟。

19.根据权利要求15到18中任一权利要求所述的方法，其中所述工件温度在暴露于所述第二等离子体期间比在暴露于所述第一等离子体期间高。

20.根据权利要求12到19中任一权利要求所述的方法，其中所述含氟化合物在所述气体中的体积百分比不大于1％。