[发明专利]极低电阻膜及使其改性的方法或产生方法有效
| 申请号： | 201080054808.8 | 申请日： | 2010-10-02 |
| 公开（公告）号： | CN102714216A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | D·J·吉尔伯特;T·S·卡勒 | 申请（专利权）人： | 阿姆巴托雷有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/66 | 分类号： | H01L29/66 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 李跃龙 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 通过将改性材料沉积到ELR膜的适当表面上以产生经改性的ELR膜可以改善超低电阻(“ELR”)膜的工作特性。在本发明的一些实施方案中，ELR膜可以是“c膜”的形式。这种工作特性可以包括在提高的温度在ELR状态中工作，携带额外的电荷，以改善的磁性工作，以改善的力学性能或其它改善的工作特性工作。在本发明的一些实施方式中，ELR材料是混合价态铜氧化物钙钛矿，例如但不限于YBCO。在本发明的一些实施方式中，改性材料是易于与氧结合的导电材料，例如但不限于铬。 | ||
| 搜索关键词： | 电阻 改性 方法 产生 | ||
【主权项】：
改善ELR膜的工作特性的方法，该ELR膜包含具有晶体结构的ELR材料，该方法包括：将改性材料成层到ELR膜的适当表面上以产生经改性的ELR膜，其中相对于没有改性材料的ELR膜的工作特性，经改性的ELR膜具有得到改善的工作特性。
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