[发明专利]极低电阻膜及使其改性的方法或产生方法

权利要求书

1.改善ELR膜的工作特性的方法，该ELR膜包含具有晶体结构的ELR材料，该方法包括：

将改性材料成层到ELR膜的适当表面上以产生经改性的ELR膜，其中相对于没有改性材料的ELR膜的工作特性，经改性的ELR膜具有得到改善的工作特性。

2.权利要求1的方法，其中将改性材料成层到ELR膜的适当表面上包括将改性材料沉积到ELR材料的适当表面上。

3.权利要求1的方法，其中将改性材料成层到ELR膜的适当表面上包括将改性材料成层到基本不平行于ELR材料的晶体结构的c平面的ELR材料的面上。

4.权利要求3的方法，其中将改性材料成层到ELR膜的适当表面上包括将改性材料成层到平行于ELR材料的晶体结构的ab平面的ELR材料的面上。

5.权利要求4的方法，其中将改性材料成层到ELR膜的适当表面上包括将改性材料成层到平行于ELR材料的晶体结构的a平面或b平面的ELR材料的面上。

6.权利要求1的方法，其中将改性材料成层到ELR膜的适当表面上包括将铬、铜、铋、钴、钒、钛、铑、铍、镓或硒成层到ELR膜的适当表面上。

7.权利要求1的方法，进一步包括在ELR膜之上或之内形成适当表面。

8.权利要求7的方法，其中在ELR膜之上或之内形成适当表面包括使ELR膜之上或之内的适当表面暴露。

9.权利要求7的方法，其中在ELR膜之上或之内形成适当表面包括以使得ELR材料的晶体结构的特定轴沿着衬底的主轴取向的方式将ELR材料成层到衬底上，其中特定轴是ELR材料的晶体结构的c平面内的直线。

10.权利要求9的方法，其中特定轴是a轴或b轴。

11.权利要求10的方法，其中将ELR材料成层到衬底上包括将ELR材料成层到MgO、SrTiO₃、LaSrGaO₄或其组合上。

12.权利要求8的方法，其中使ELR膜的适当表面暴露包括蚀刻ELR膜的主要表面以增加主要表面的表面积。

13.权利要求8的方法，其中使ELR膜的适当表面暴露包括在ELR膜的主要表面中产生图案，由此使ELR膜的一个或多个适当表面暴露。

14.权利要求13的方法，其中在ELR膜的主要表面中产生图案包括在ELR膜的主要表面中刻出槽。

15.权利要求14的方法，其中将改性材料成层到ELR膜的适当表面包括将改性材料沉积在槽中。

16.权利要求1的方法，其中ELR材料包含超导材料。

17.权利要求16的方法，其中超导材料包括混合价态的铜氧化物钙钛矿。

18.权利要求16的方法，其中超导材料包括铁的磷属元素化物或二硼化镁。

19.改善ELR膜的工作特性的方法，所述ELR膜的主轴长于它的其它两个轴之一，所述ELR膜的主要表面的面积大于它的其它正交的面之一，所述ELR膜包含具有晶体结构的ELR材料，该方法包括：

在ELR膜的主要表面中产生至少一个槽，由此使ELR材料的面暴露，经暴露的面是平行于ELR材料的晶体结构的ab平面的面；和

将改性材料沉积到经暴露的面上。

20.权利要求19的方法，其中在ELR膜的主要表面中产生至少一个槽包括产生深度基本等于ELR材料的厚度的至少一个槽。

21.权利要求19的方法，其中在ELR膜的主要表面中产生至少一个槽包括产生深度小于ELR材料的厚度的至少一个槽。

22.权利要求19的方法，其中将改性材料沉积到经暴露的面上包括将改性材料的单一单元层沉积到经暴露的面上。

23.权利要求19的方法，其中将改性材料沉积到经暴露的面上包括将改性材料的两个或更多个单元层沉积到经暴露的面上。

24.权利要求19的方法，其中至少一个槽的宽度大于10nm。