[发明专利]极低电阻膜及使其改性的方法或产生方法有效

专利信息
申请号: 201080054808.8 申请日: 2010-10-02
公开(公告)号: CN102714216A 公开(公告)日: 2012-10-03
发明(设计)人: D·J·吉尔伯特;T·S·卡勒 申请(专利权)人: 阿姆巴托雷有限责任公司
主分类号: H01L29/66 分类号: H01L29/66
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 李跃龙
地址: 美国亚*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 电阻 改性 方法 产生
【说明书】:

相关的申请的交叉引用

本申请要求美国临时申请61/248,130的优先权,该临时申请题为″High Temperature Extremely Low Resistance Materials and Methods for Modifying or Creating Same″,在2009年10月2日提交,通过引用以其全文并入本文。

技术领域

发明总的涉及在高温下具有极低电阻的膜或带(″ELR膜″或″ELR带″),更特别涉及使现有ELR膜改性和/或产生以改善的工作特性进行工作的新ELR膜。

背景技术

正在进行的研究试图获得具有改善的工作特性的新材料,例如,相比现有的材料,在较高温度下减少的电阻,包括超导材料。科学家们已经使″理想导体″或以极低电阻工作的材料的可能存在理论化,但这未必展示出超导材料的所有常规接受的特性。

尽管常规高温超导(″HTS″)材料名为如此,但仍在非常低的温度下工作。事实上,最常用的HTS材料仍然需要冷却系统的使用,该冷却系统使用具有非常低的沸点的液体(例如液氮)。这种冷却系统增加了实施成本并且无助于这种材料的广泛商业和消费者使用和/或应用。

所需要的是:具有得到改善的工作特性的ELR膜;使已知的ELR膜改性使得经改性的ELR膜以得到改善的工作特性工作;和/或设计和制造新的ELR膜的技术。

附图说明

包括附图以提供对发明的进一步理解,且附图构成本说明书的一部分,这些附图说明了本发明的各种示例性实施方式,并连同详细描述用于解释本发明的各种原理和/或方面。

图1以从第一角度观察的方式说明了示例性ELR材料的晶体结构。

图2以从第二角度观察的方式说明了示例性ELR材料的晶体结构。

图3以从第二角度观察的方式说明了示例性ELR材料的晶体结构。

图4说明了ELR材料的晶体结构的概念性力学模型。

图5说明了根据本发明各种实施方式的ELR材料的得到改善的晶体结构的概念性力学模型。

图6说明了根据本发明各种实施方式的ELR材料的得到改善的晶体结构的概念性力学模型。

图7说明了根据本发明各种实施方式的示例性ELR材料的得到改善的晶体结构的概念性力学模型。

图8说明了根据本发明各种实施方式的ELR材料的得到改善的晶体结构的概念性力学模型。

图9说明了根据本发明各种实施方式的ELR材料的得到改善的晶体结构的概念性力学模型。

图10以从第二角度观察的方式说明了根据本发明各种实施方式的ELR材料的经改性的晶体结构。

图11以从第一角度观察的方式说明了根据本发明各种实施方式的ELR材料的经改性的晶体结构。

图12说明了根据本发明各种实施方式由ELR材料生产经改性的材料的流程图。

图13A-13J说明了根据本发明的各种实施方式制备经改性的ELR材料。

图14是根据本发明的各种实施方式将改性材料沉积到ELR材料上的流程图。

图15说明了用于确定根据本发明各种实施方式的经改性的ELR材料的各种工作特性的试验台。

图16A-16G说明了显示出经改性的ELR材料的各种工作特性的试验结果。

图17以从第二角度观察的方式说明了示例性ELR材料的晶体结构。

图18以从第二角度观察的方式说明了示例性ELR材料的晶体结构。

图19以从第二角度观察的方式说明了示例性ELR材料的晶体结构。

图20说明了根据本发明的各种实施方式用于传播电荷的改性材料和ELR材料的设置。

图21说明了示例性ELR材料的晶胞。

图22以从第二角度观察的方式说明了示例性ELR材料的晶体结构。

图23说明了根据本发明的各种实施方式的示例性的经表面改性的ELR材料的晶体结构的多个层。

图24说明了显示出根据本发明的各种实施方式的经改性的ELR材料(即以铬作为改性材料且以YBCO作为ELR材料)的各种工作特性的试验结果。

图25说明了显示出根据本发明的各种实施方式的经改性的ELR材料(即以钒作为改性材料且以YBCO作为ELR材料)的各种工作特性的试验结果。

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