[发明专利]双功函数栅极结构有效
| 申请号： | 201080053547.8 | 申请日： | 2010-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN102714207A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | W·M·哈菲兹;A·拉赫曼 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L27/092 | 分类号： | H01L27/092 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈松涛;王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 描述了一种具有晶体管的半导体芯片。所述晶体管具有设置在栅极电介质上的栅极电极。所述栅极电极包括设置在所述栅极电介质上的第一栅极材料和设置在所述栅极电介质上的第二栅极材料。第一栅极材料不同于第二栅极材料。第二栅极材料也位于所述栅极电极的源极区域或漏极区域处。 | ||
| 搜索关键词： | 函数 栅极 结构 | ||
【主权项】：
一种半导体芯片，包括：晶体管，所述晶体管具有设置在栅极电介质上的栅极电极，所述栅极电极包括设置在所述栅极电介质上的第一栅极材料和设置在所述栅极电介质上的第二栅极材料，所述第一栅极材料不同于所述第二栅极材料，所述第二栅极材料也位于所述栅极电极的源极区域或漏极区域处。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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