[发明专利]基于半极化纤锌矿型第III族氮化物的半导体层和基于前者的半导体元件无效
| 申请号： | 201080052615.9 | 申请日： | 2010-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN102668027A | 公开（公告）日： | 2012-09-12 |
| 发明（设计）人： | A.达德加;A.克罗斯特;R.拉瓦什 | 申请（专利权）人： | 阿祖罗半导体股份公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 贾静环 |
| 地址： | 德国马*** | 国省代码： | 德国;DE |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 第III族氮化物层在电子学和光电子学中的应用广泛。这种层的生长一般在如蓝宝石、SiC以及最近的Si(111)等表面上进行。此时所得到的层一般在生长方向上为极化的，或者具有c-轴取向。对于光电子学领域中的许多应用以及在SAW中的声学应用而言，非极化或半极化第III族氮化物的层的生长是受到关注或者必要的。根据本发明的方法实现了简单价廉的生长极化降低的第III族氮化物层，且无需衬底的预结构化。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 极化 锌矿 iii 氮化物 半导体 前者 元件 | ||
【主权项】：
基于半极化纤锌矿型第III族氮化物的半导体层，其特征在于在具有闪锌矿或金刚石结构且具有与(111)面的取向差大于9°的面的平面衬底上生长。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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