[发明专利]用于束处理系统的气体传输有效
申请号: | 201080051642.4 | 申请日: | 2010-11-16 |
公开(公告)号: | CN102597312A | 公开(公告)日: | 2012-07-18 |
发明(设计)人: | C.D.钱德勒;S.兰多尔夫;G.哈蒂根 | 申请(专利权)人: | FEI公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/44;C23F4/04;H01L21/3065 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 周春梅;谭祐祥 |
地址: | 美国俄*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 从多种气体源进入到束系统的样品腔中的气体流由用于每种气体源的循环阀控制,所述样品腔中的气体压力由阀打开的相对时间以及阀的上游压力确定。设置在真空腔内部的气体阀允许在截止气体方面快速响应。在一些优选的实施方式中,前体气体由容器中的固态或液态材料被供应,所述容器在使用时仍保持在所述真空系统外部并且被容易地连接到所述气体注入系统或从所述气体注入系统断开而不存在显著的泄漏。 | ||
搜索关键词: | 用于 处理 系统 气体 传输 | ||
【主权项】:
一种气体注入系统,所述气体注入系统用于将多种处理气体提供到微束处理系统,微束处理系统具有带受控环境的样品腔,所述气体注入系统包括:用于提供多种处理气体的多种气体源;流率控制阀,所述流率控制阀与所述多种气体源的每一种相关联并且设置在所述样品腔外部以调节来自相应气体源的气体的流率;截止阀,所述截止阀与所述多种气体源的每一种相关联并且设置在所述真空腔内部;一组第一气体导管,每个第一气体导管将来自流率控制阀之一的气体引导到相应截止阀;以及一组第二气体导管,每个第二气体导管将来自所述相应截止阀的气体引导到样品腔环境中。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于FEI公司,未经FEI公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201080051642.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:单层阻抗挠性印制电路板
- 下一篇:软硬结合电路板
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的