[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201080050574.X | 申请日： | 2010-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN102598284A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;平石铃之介;秋元健吾;坂田淳一郎 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/28;H01L29/417 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 张欣 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 目的在于，在含氧化物半导体层的薄膜晶体管中，减少该氧化物半导体层与电连接至该氧化物半导体层的源和漏电极层之间的接触电阻。源和漏电极层具有两个或更多层的层叠结构，其中与氧化物半导体层相接触的层使用其功函数低于氧化物半导体层的功函数的金属或含有这样的金属的合金而被形成。可使用选自Al、Cr、Cu、Ta、Ti、Mo、或W的元素、或含有这些元素中的任意作为组分的合金、含有这些元素中的任意的组合的合金、等形成在源和漏电极层中除了与氧化物半导体层相接触的层之外的层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：氧化物半导体层；含有与所述氧化物半导体层相接触的第一层的源电极层；以及含有与所述氧化物半导体层相接触的第二层的漏电极层；其中所述第一层和第二层的每一个包括具有低于所述氧化物半导体层的功函数的金属、或含有这样的金属的合金。
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