[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201080050574.X | 申请日： | 2010-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN102598284A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;平石铃之介;秋元健吾;坂田淳一郎 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/28;H01L29/417 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 张欣 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
1.一种半导体器件，包括：
氧化物半导体层；
含有与所述氧化物半导体层相接触的第一层的源电极层；以及
含有与所述氧化物半导体层相接触的第二层的漏电极层；
其中所述第一层和第二层的每一个包括具有低于所述氧化物半导体层的功函数的金属、或含有这样的金属的合金。
2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述源电极层和所述漏电极层具有层叠结构。
3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，
其中所述金属是铟，且
其中所述氧化物半导体层含有氧化铟。
4.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，
其中所述金属是锌，且
其中所述氧化物半导体层包括氧化锌。
5.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，
其中所述金属是钇。
6.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，
其中所述金属是钛，且
其中所述氧化物半导体层含有氧化铟。
7.一种半导体器件，包括：
氧化物半导体层；
含有第一混合层的源电极层；以及
含有第二混合层的漏电极层，
其中所述第一混合层和第二混合层的每一个包括具有低于所述氧化物半导体层的功函数的第一金属、或含有这样的金属的合金，
其中所述第一混合层和第二混合层的每一个进一步包括具有高耐热性的第二金属，且
其中所述第一混合层和第二混合层的与所述氧化物半导体层相接触的区域，相比所述第一混合层和第二混合层的不与所述氧化物半导体层相接触的区域，具有较大浓度的所述第一金属或所述合金。
8.如权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，
其中所述第一金属是铟，且
其中所述氧化物半导体层包括氧化铟。
9.如权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，
其中所述第一金属是锌，且
其中所述氧化物半导体层包括氧化锌。
10.如权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，
其中所述第一金属是钇。
11.如权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，
其中所述第一金属是钛，且
其中所述氧化物半导体层包括氧化铟。
12.一种半导体器件，包括：
氧化物半导体层；
含有与所述氧化物半导体层相接触的第一层的源电极层；以及
含有与所述氧化物半导体层相接触的第二层的漏电极层；
其中所述第一层和第二层的每一个包括具有低于所述氧化物半导体层的电子亲和力的功函数的金属、或含有这样的金属的合金。
13.如权利要求12所述的半导体器件，其特征在于，所述源电极层和所述漏电极层的每一个具有层叠结构。
14.如权利要求12所述的半导体器件，其特征在于，
其中所述金属是铟，且
其中所述氧化物半导体层包括氧化铟。
15.如权利要求12所述的半导体器件，其特征在于，
其中所述金属是锌，且
其中所述氧化物半导体层包括氧化锌。
16.如权利要求12所述的半导体器件，其特征在于，
其中所述金属是钇。
17.如权利要求12所述的半导体器件，其特征在于，
其中所述金属是钛，且
其中所述氧化物半导体层包括氧化铟。
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