[发明专利]氮化物半导体器件及其生产方法有效
| 申请号： | 201080048067.2 | 申请日： | 2010-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN102598316A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 大鹿嘉和;松浦哲也 | 申请（专利权）人： | 同和电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 公开一种氮化物半导体器件，其中超晶格应变缓冲层通过使用具有低Al含量的AlGaN层或GaN层而以良好的平坦性形成，和具有良好平坦性和良好结晶性的氮化物半导体层在所述超晶格应变缓冲层上形成。特别公开一种氮化物半导体器件，其包括基板；在所述基板上形成的包括AlN的AlN应变缓冲层；在所述AlN应变缓冲层上形成的超晶格应变缓冲层；和在所述超晶格应变缓冲层上形成的氮化物半导体层。所述氮化物半导体器件的特征在于所述超晶格应变缓冲层包括AlxGa1-xN(0≤x≤0.25)，并通过将包括p-型杂质的第一层和包括AlN的第二层交替地层压以形成超晶格结构而生产。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体器件 及其 生产 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化物半导体器件，其包括：基板；在所述基板上形成的由AlN制成的AlN应变缓冲层；在所述AlN应变缓冲层上形成的超晶格应变缓冲层；和在所述超晶格应变缓冲层上形成的氮化物半导体层，其中所述超晶格应变缓冲层具有通过将由AlxGa1‑xN(0≤x≤0.25)制成的进一步包含p‑型杂质的第一层和由AlN制成的第二层交替堆叠而形成的超晶格结构。
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