[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201080047028.0 | 申请日： | 2010-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN102598248A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;小山润;今井馨太郎 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L21/822;H01L27/00;H01L27/04;H01L27/092;H01L29/786 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 张欣 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的是提供具有新结构的半导体器件。公开了半导体器件，其包括第一晶体管，其包括位于含有半导体材料的衬底中的沟道形成区、沟道形成区插入之间的杂质区、位于沟道形成区上的第一栅绝缘层、位于第一栅绝缘层上的第一栅电极、以及电连接至该杂质区的第一源电极和第一漏电极；以及第二晶体管，其包括位于含有半导体材料的衬底上的第二栅电极、位于该第二栅电极上的第二栅绝缘层、位于该第二栅绝缘层上的氧化物半导体层、以及电连接至该氧化物半导体层的第二源电极和第二漏电极。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：第一晶体管，包括位于含有半导体材料的衬底中的沟道形成区、沟道形成区插入其间的杂质区、位于所述沟道形成区上的第一栅绝缘层、位于所述第一栅绝缘层上的第一栅电极、以及电连接至所述杂质区的第一源电极和第一漏电极；以及第二晶体管，包括位于含有半导体材料的所述衬底上的第二栅电极、位于所述第二栅电极上的第二栅绝缘层、位于所述第二栅绝缘层上的氧化物半导体层、以及电连接至所述氧化物半导体层的第二源电极和第二漏电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
