[发明专利]基板处理装置及方法有效
| 申请号： | 201080046511.7 | 申请日： | 2010-10-04 |
| 公开（公告）号： | CN102668026A | 公开（公告）日： | 2012-09-12 |
| 发明（设计）人： | 朴昞慜;孔斗源;孙成官;赵晃新;郑成在;朴喜载 | 申请（专利权）人： | 韩商SNU精密股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L31/042 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 郭蔚 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种基板处理装置及一种基板处理方法，其能够防止基板受热并有效地收集残余沉积材料。该基板处理装置包括：一腔室单元，包括一内部空间，该内部空间被划分成一引入段、一薄膜形成段及一卸出段；至少一个材料喷嘴单元，设置于该腔室单元的该薄膜形成段中，用以喷射一沉积材料至所传送的一基板；以及一冷却板单元，设置成围绕该腔室单元的该薄膜形成段并适以冷却该薄膜形成段的内部。此外，该基板处理装置更包括至少一个冷阱单元，该至少一个冷阱单元设置于该材料喷嘴单元的一下部，用以收集由该材料喷嘴单元喷射的全部沉积材料中未沉积于基板上而遗留的残余沉积材料。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种基板处理装置，包括：一腔室单元，包括一内部空间，该内部空间包括一引入段、一薄膜形成段及一卸出段；至少一个材料喷嘴单元，设置于该腔室单元的该薄膜形成段中，用以喷射一沉积材料至所传送的一基板；以及一冷却板单元，设置成围绕该腔室单元的该薄膜形成段，并适以冷却该薄膜形成段的内部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
