[发明专利]基板处理装置及方法有效
| 申请号: | 201080046511.7 | 申请日: | 2010-10-04 |
| 公开(公告)号: | CN102668026A | 公开(公告)日: | 2012-09-12 |
| 发明(设计)人: | 朴昞慜;孔斗源;孙成官;赵晃新;郑成在;朴喜载 | 申请(专利权)人: | 韩商SNU精密股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/20 | 分类号: | H01L21/20;H01L31/042 |
| 代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 郭蔚 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 处理 装置 方法 | ||
1.一种基板处理装置,包括:
一腔室单元,包括一内部空间,该内部空间包括一引入段、一薄膜形成段及一卸出段;
至少一个材料喷嘴单元,设置于该腔室单元的该薄膜形成段中,用以喷射一沉积材料至所传送的一基板;以及
一冷却板单元,设置成围绕该腔室单元的该薄膜形成段,并适以冷却该薄膜形成段的内部。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,更包括:
一上贯穿孔与一下贯穿孔,分别形成于该腔室单元的该薄膜形成段的一上表面与一下表面;以及
一上封盖与一下封盖,分别可移除地安装至该上贯穿孔与该下贯穿孔,
其中该冷却板单元包括至少一上冷却板及一下冷却板,该上冷却板与该下冷却板分别与该上封盖与该下封盖一体成型。
3.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,该冷却板单元包括一第一侧面冷却板及一第二侧面冷却板,该第一侧面冷却板与该第二侧面冷却板分别设置于该腔室单元的该引入段与该薄膜形成段之间以及该薄膜形成段与该卸出段之间。
4.根据权利要求3所述的基板处理装置,其特征在于,更包括:
一第一侧面贯穿孔与一第二侧面贯穿孔,位于该腔室单元的一侧壁上,并位于对应多个边界的多个位置处,所述多个边界介于该引入段与该薄膜形成段之间以及介于该薄膜形成段与该卸出段之间;以及
一第一侧面封盖与一第二侧面封盖,分别可移除地安装至该第一侧面贯穿孔与该第二侧面贯穿孔,
其中该第一侧面冷却板与该第二侧面冷却板分别与该第一侧面封盖与该第二侧面封盖一体成型。
5.根据权利要求4所述的基板处理装置,其特征在于,该腔室单元包括一滑轨,该滑轨形成于该腔室单元的一下部内表面,并位于对应所述多个边界的多个位置处,所述多个边界介于于该引入段与该薄膜形成段之间以及介于该薄膜形成段与该卸出段之间,且
该第一侧面冷却板与该第二侧面冷却板通过在所述滑轨上滑动而进出于该腔室单元的该内部空间。
6.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,更包括至少一个冷阱单元,该至少一个冷阱单元设置于该材料喷嘴单元下方,用以收集未沉积于该基板上而残余的沉积材料。
7.一种基板处理装置,包括:
一腔室单元,包括一内部空间,该内部空间包括一引入段、一薄膜形成段及一卸出段;
至少一个材料喷嘴单元,设置于该腔室单元的该薄膜形成段中,用以喷射一沉积材料至所传送的一基板;以及
至少一个冷阱单元,设置于该材料喷嘴单元下方,用以收集未沉积于该基板上而残余的沉积材料。
8.根据权利要求7所述的基板处理装置,其特征在于,该冷阱单元包括:
一基准面,设置成涵盖一区域的一下部面积,该区域中设置有该材料喷嘴单元;
多数个散热片,垂直地安装至该基准面;
一冷却路径,形成于所述多个散热片处,俾使一冷却水于该冷却路径中流动;以及
一支撑封盖,适以支撑该基准面的至少一个侧面。
9.根据权利要求8所述的基板处理装置,其特征在于,该腔室单元包括至少一个第三侧面贯穿孔,该至少一个第三侧面贯穿孔形成于该腔室单元的一侧壁上,并位于设置有该材料喷嘴单元的该区域的一下部部分;以及
该支撑封盖可移除地装设至该第三侧面贯穿孔,俾该冷阱单元可分离且一体化装设于该支撑封盖。
10.根据权利要求8所述的基板处理装置,其特征在于,所述多个散热片相间隔地垂直安装,
各该散热片自该基准面延伸至长于该材料喷嘴单元的一长度,以及
所述多个散热片的多个上端具有自该冷阱单元的二外部朝该冷阱单元的一中部逐渐减小的高度。
11.根据权利要求8所述的基板处理装置,其特征在于,该冷却路径形成于所述多个散热片的外表面上,以面朝该冷阱单元的一中部。
12.根据权利要求8所述的基板处理装置,其特征在于,该腔室单元包括至少一个滑轨,该至少一个滑轨形成于该腔室单元的一下部内表面上,且位于设置有该冷阱单元的一位置处,且
该冷阱单元的该基准面通过在该滑轨上滑动而进出于该腔室单元的该内部空间。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





