[发明专利]基板处理装置及方法

说明书

【技术领域】

本发明关于一种基板处理装置以及一种基板处理方法，更具体而言，是关于一种能够防止基板受热并有效地收集残余沉积材料的基板处理装置及基板处理方法。

【背景技术】

太阳能电池(solar cel1)系例如通过以下方式制成：形成硒(Se)或含Se化合物之一薄膜于一太阳能电池基板上，并将该Se薄膜图案化成具有一预定图案。更具体而言，通过例如化学气相沉积(chemical vapor deposition；CVD)及物理气相沉积(physical vapor deposition；PVD)等气相沉积制程(vapor deposition process)而形成多数个薄膜层于一玻璃基板上。之后，将所述多个薄膜层图案化以制造太阳能电池。

用于太阳能电池的沉积材料系在由一汽化器(vaporizer)加热后以一汽化状态供应至玻璃基板。由一加热单元加热该沉积材料之一传送线(transfer line)及一喷射单元(injection unit)，以传送汽化的沉积材料至玻璃基板。因此，受到加热的传送线及喷射单元会升高腔室的内部温度，导致置于腔室中的基板受热。如此一来，会降低沉积材料的沉积效率。

由于沉积效率降低，未沉积于玻璃基板上而残余的沉积材料可能会沉积于腔室的内壁上或腔室中各种组件的外表面上，进而会污染装置并降低装置的寿命。

【发明内容】

[技术问题]

本发明提供一种基板处理装置以及一种基板处理方法，其能够通过集中地冷却用于执行气相沉积的腔室中的薄膜形成段而提升沉积材料的沉积效率，藉此防止置于薄膜形成段中的基板受热。

本发明亦提供一种基板处理装置及一种基板处理方法，其能够通过为薄膜形成段设置一残余沉积材料收集单元而防止残余沉积材料造成污染，藉此延长装置的寿命。

[技术解决方案]

根据一实例性实施例，一种基板处理装置包括：一腔室单元，包括一内部空间，该内部空间包括一引入段、一薄膜形成段及一卸出段；至少一个材料喷嘴单元，设置于该腔室单元的该薄膜形成段中，用以喷射一沉积材料至所传送的一基板；以及一冷却板单元(cooling plate unit)，设置成围绕该腔室单元的该薄膜形成段并适以冷却该薄膜形成段的内部。

该基板处理装置可更包括：一上贯穿孔与一下贯穿孔，分别形成于该腔室单元的该薄膜形成段的一上表面与一下表面；以及一上封盖与一下封盖，分别可移除地安装至该上贯穿孔与该下贯穿孔，其中该冷却板单元包括至少一上冷却板及一下冷却板，该上冷却板与该下冷却板分别与该上封盖与该下封盖一体成型。

该冷却板单元可包括一第一侧面冷却板及一第二侧面冷却板，该第一侧面冷却板与该第二侧面冷却板分别设置于该腔室单元的该引入段与该薄膜形成段之间以及该薄膜形成段与该卸出段之间。

该基板处理装置可更包括：一第一侧面贯穿孔与一第二侧面贯穿孔，位于该腔室单元的一侧壁上，并位于对应多个边界的多个位置处，所述多个边界介于该引入段与该薄膜形成段之间以及介于该薄膜形成段与该卸出段之间；以及一第一侧面封盖与一第二侧面封盖，分别可移除地安装至该第一侧面贯穿孔与该第二侧面贯穿孔，其中该第一侧面冷却板与该第二侧面冷却板分别与该第一侧面封盖与该第二侧面封盖一体成型。

该腔室单元可更包括一滑轨，该滑轨形成于该腔室单元的一下部内表面，并位于对应所述多个边界的多个位置处，所述多个边界介于于该引入段与该薄膜形成段之间以及介于该薄膜形成段与该卸出段之间，且该第一侧面冷却板与该第二侧面冷却板通过在所述滑轨上滑动而进出于该腔室单元的该内部空间。

该基板处理装置可更包括至少一个冷阱单元(cold trap unit)，该至少一个冷阱单元设置于该材料喷嘴单元下方，用以收集未沉积于该基板上而残余的该沉积材料。

根据另一实例性实施例，一种基板处理装置包括：一腔室单元，包括一内部空间，该内部空间包括一引入段、一薄膜形成段及一卸出段；至少一个材料喷嘴单元，设置于该腔室单元的该薄膜形成段中，用以喷射一沉积材料至所传送的一基板；以及至少一个冷阱单元，设置于该材料喷嘴单元下方，用以收集未沉积于该基板上而残余的该沉积材料。

该冷阱单元可包括：一基准面(base plane)，设置成涵盖一区域的一下部面积，该区域中设置有该材料喷嘴单元；多数个散热片(heat sink)，垂直地安装至该基准面；一冷却路径，形成于所述多个散热片处，俾使一冷却水于该冷却路径中流动；以及一支撑封盖，适以支撑该基准面的至少一个侧面。