[发明专利]处理有非平坦表面的基材的方法有效
| 申请号: | 201080046098.4 | 申请日: | 2010-10-14 |
| 公开(公告)号: | CN102598219A | 公开(公告)日: | 2012-07-18 |
| 发明(设计)人: | 乔治·D·帕帕守尔艾迪斯;维克拉姆·辛;尹赫云;海伦·L·梅纳德;卢多维克·葛特 | 申请(专利权)人: | 瓦里安半导体设备公司 |
| 主分类号: | H01L21/265 | 分类号: | H01L21/265;H01L21/336;H01J37/32 |
| 代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 臧建明 |
| 地址: | 美国麻萨诸塞*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | 揭示一种处理具有水平表面以及非水平表面的基材的方法。藉由采用离子植入器,将粒子植入到基材中。在离子植入期间,由于植入处理的性质,可以在表面上沉积薄膜,其中水平表面上的薄膜的厚度较厚。薄膜的出现可能逆向改变基材的特性。为了对此情况进行更正,执行第二处理步骤来移除沉积在水平表面上的薄膜。在一些实施例中,蚀刻处理被用于移除此薄膜。在一些实施例中,材料改性步骤被用于改变组成薄膜的材料的组成物。材料改性步骤可以替代蚀刻处理,或者作为蚀刻处理的附加步骤。 | ||
| 搜索关键词: | 处理 平坦 表面 基材 方法 | ||
【主权项】:
一种处理基材的方法,所述基材具有水平表面以及非水平表面,其特征在于,所述方法包括:将理想的数量的离子引入到所述基材中,其中在所述引入期间,在所述水平表面上沉积薄膜;以及藉由采用蚀刻处理以将所述薄膜从所述水平表面移除。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





