[发明专利]处理有非平坦表面的基材的方法有效

专利信息
申请号: 201080046098.4 申请日: 2010-10-14
公开(公告)号: CN102598219A 公开(公告)日: 2012-07-18
发明(设计)人: 乔治·D·帕帕守尔艾迪斯;维克拉姆·辛;尹赫云;海伦·L·梅纳德;卢多维克·葛特 申请(专利权)人: 瓦里安半导体设备公司
主分类号: H01L21/265 分类号: H01L21/265;H01L21/336;H01J37/32
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人: 臧建明
地址: 美国麻萨诸塞*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 揭示一种处理具有水平表面以及非水平表面的基材的方法。藉由采用离子植入器,将粒子植入到基材中。在离子植入期间,由于植入处理的性质,可以在表面上沉积薄膜,其中水平表面上的薄膜的厚度较厚。薄膜的出现可能逆向改变基材的特性。为了对此情况进行更正,执行第二处理步骤来移除沉积在水平表面上的薄膜。在一些实施例中,蚀刻处理被用于移除此薄膜。在一些实施例中,材料改性步骤被用于改变组成薄膜的材料的组成物。材料改性步骤可以替代蚀刻处理,或者作为蚀刻处理的附加步骤。
搜索关键词: 处理 平坦 表面 基材 方法
【主权项】:
一种处理基材的方法,所述基材具有水平表面以及非水平表面,其特征在于,所述方法包括:将理想的数量的离子引入到所述基材中,其中在所述引入期间,在所述水平表面上沉积薄膜;以及藉由采用蚀刻处理以将所述薄膜从所述水平表面移除。
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