[发明专利]催化CVD装置、膜的形成方法和太阳能电池的制造方法有效
| 申请号： | 201080045522.3 | 申请日： | 2010-10-01 |
| 公开（公告）号： | CN102576668A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 甲斐干英;大园修司;冈山智彦;小形英之 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社;株式会社爱发科 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;C23C16/44;H01L31/04 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在催化CVD装置(100)中，控制部在成膜时前后的规定的时间内，将催化剂丝(13)的温度控制在待机温度。待机温度是低于成膜时催化剂丝(13)的温度且高于室温的规定温度。 | ||
| 搜索关键词： | 催化 cvd 装置 形成 方法 太阳能电池 制造 | ||
【主权项】：
一种催化CVD装置，其特征在于：其对设置于反应室内且被加热的催化剂丝供给原料气体，使所生成的分解产物沉积在所述反应室内的被成膜基材上，进行成膜，该催化CVD装置具有控制部，在向所述被成膜基材上成膜时，所述控制部能够进行控制使所述催化剂丝的温度为所述原料气体的分解温度，在所述成膜时前后各规定的时间内，所述控制部能够进行控制使所述催化剂丝的温度为低于所述成膜时所述催化剂丝的温度且高于室温的规定温度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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