[发明专利]三维电感器与变换器无效
| 申请号： | 201080045331.7 | 申请日： | 2010-10-07 |
| 公开（公告）号： | CN102576657A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 金郑海;顾时群;布雷恩·马修·亨德森;托马斯·R·汤姆斯;刘·G·蔡-奥安;赛福拉·S·巴扎亚尼;马修·诺瓦克 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L23/522;H01F17/00;H01L27/06;H01L23/48 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 宋献涛 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明揭示一种三维芯片上电感器、变换器及射频放大器。所述射频放大器包括一对变换器及一晶体管。所述变换器包括至少两个电感性耦合的电感器。所述电感器包括第一金属层的多个片段(704)、第二金属层的多个片段(706)、第一电感器输入(708)、第二电感器输入(710)，及多个穿硅通孔(702)，所述多个穿硅通孔(702)耦合所述第一金属层的所述多个片段与所述第二金属层的所述多个片段，以形成所述第一电感器输入与所述第二电感器输入之间的连续、非相交路径。所述电感器可具有对称或非对称几何结构。所述第一金属层可为所述芯片的后段工艺区段中的金属层。所述第二金属层可位于所述芯片的重分配设计层中。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 电感器 变换器 | ||
【主权项】：
一种三维芯片上电感器，其包含：第一金属层的多个片段；第二金属层的多个片段；第一电感器输入及第二电感器输入；及多个穿硅通孔，其耦合所述第一金属层的所述多个片段与所述第二金属层的所述多个片段，以形成所述第一电感器输入与所述第二电感器输入之间的连续、非相交路径。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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