[发明专利]具有接触阻挡层的稀释的III-V族氮化物中间带太阳能电池有效
申请号: | 201080040445.2 | 申请日: | 2010-09-07 |
公开(公告)号: | CN102576775A | 公开(公告)日: | 2012-07-11 |
发明(设计)人: | W·瓦鲁奇威兹;K·M·禹 | 申请(专利权)人: | 罗斯特雷特能源实验室公司 |
主分类号: | H01L31/0735 | 分类号: | H01L31/0735 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人: | 赵蓉民 |
地址: | 美国,亚*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明提供一种中间带太阳能电池(IBSC),其包括基于稀释的III-V族氮化物材料的p-n结和一对位于p-n结相对表面上的接触阻挡层,其用于通过阻挡中间带中电荷输运电绝缘p-n结的中间带,但不影响p-n结的电子和空穴收集效率,因而增加IBSC的开路电压(VOC),并利用中间带吸收能量低于IBSC的吸收层带隙的光子增加光电流。因此,IBSC的整体功率转换效率比传统单结太阳能电池高得多。IBSC的p-n结吸收层具有成分分级的氮浓度,从而为更有效的电荷收集提供电场。 | ||
搜索关键词: | 具有 接触 阻挡 稀释 iii 氮化物 中间 太阳能电池 | ||
【主权项】:
一种中间带太阳能电池,其包括:p‑n结,其包括p型层和n型层,每个所述p型层和n型层材料都包括中间带;以及接触阻挡层,其设置在n型层的外表面上,并提供所述p型和n型层的中间带的电绝缘。
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