[发明专利]高击穿电压嵌入式MIM电容器结构有效
| 申请号： | 201080034956.3 | 申请日： | 2010-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN102473596A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 梧泰·康;金郑海 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L27/08;H01L27/10 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 宋献涛 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 呈现与多个高击穿电压嵌入式电容器有关的方法和装置。半导体装置包括：栅极材料(204)，其嵌入于绝缘体(209)中；多个金属接触件(213)；以及多个电容器(C1-C4)。所述多个电容器包括：下部电极(217)；电介质(219)，其经形成以覆盖所述下部电极的表面；以及上部电极(221b、c)，其形成于所述电介质上。此外，所述多个接触件可将所述多个电容器的所述下部电极中的每一者连接到所述栅极材料。所述多个电容器经由所述栅极材料而串联连接。 | ||
| 搜索关键词： | 击穿 电压 嵌入式 mim 电容器 结构 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其包含：栅极材料，其嵌入于绝缘体中；以及第一和第二电容器，每一电容器包含：下部电极；电介质，其经形成以覆盖所述下部电极的表面；以及上部电极，其形成于所述电介质上，其中金属接触件将所述电容器中的每一者的所述下部电极耦合到所述栅极材料，且其中所述第一和第二电容器经由所述栅极材料而串联连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
