[发明专利]液晶显示装置用阵列基板的制造方法有效

专利信息
申请号: 201080033378.1 申请日: 2010-07-22
公开(公告)号: CN102472938A 公开(公告)日: 2012-05-23
发明(设计)人: 崔容硕;李石;尹暎晋;李铉奎;李友兰 申请(专利权)人: 东友FINE-CHEM股份有限公司
主分类号: G02F1/136 分类号: G02F1/136
代理公司: 北京派特恩知识产权代理事务所(普通合伙) 11270 代理人: 武晨燕;周义刚
地址: 韩国全*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 发明涉及一种液晶显示装置用阵列基板的制造方法,其包含使用蚀刻剂组成物蚀刻铜基金属层,其中蚀刻剂组成物,按组成物的总重量计,包括:a)2~30重量%的过氧化氢(H2O2);b)0.1~5重量%的硝酸(HNO3);c)0.01~1.0重量%的至少一种含氟化合物;d)0.1~5重量%的至少一种唑化合物;e)0.1~8.0重量%的至少一种咪唑化合物;及f)其余为水。
搜索关键词: 液晶 显示装置 阵列 制造 方法
【主权项】:
一种液晶显示装置用阵列基板的制造方法,其包含:1)使用蚀刻剂组成物蚀刻沉积在基板上的铜基金属层而形成栅极;2)形成使所述栅极绝缘的栅绝缘层;3)在所述栅绝缘层上形成半导体层;4)形成使所述半导体层绝缘的绝缘层;5)在使所述半导体层绝缘的所述绝缘层上形成铜基金属层;及使用所述蚀刻剂组成物蚀刻所述铜基金属层而形成源极/漏极;及6)形成电连接所述漏极的像素电极,其中,1)及5)的蚀刻剂组成物,按组成物的总重量计,包含a)2~30重量%的过氧化氢(H2O2),b)0.1~5重量%的硝酸(HNO3),c)0.01~1.0重量%的至少一种含氟化合物,d)0.1~5重量%的至少一种唑化合物,e)0.1~8.0重量%的至少一种咪唑化合物,及f)其余为水。
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