[发明专利]液晶显示装置用阵列基板的制造方法

权利要求书

1.一种液晶显示装置用阵列基板的制造方法，其包含：

1)使用蚀刻剂组成物蚀刻沉积在基板上的铜基金属层而形成栅极；

2)形成使所述栅极绝缘的栅绝缘层；

3)在所述栅绝缘层上形成半导体层；

4)形成使所述半导体层绝缘的绝缘层；

5)在使所述半导体层绝缘的所述绝缘层上形成铜基金属层；及

使用所述蚀刻剂组成物蚀刻所述铜基金属层而形成源极/漏极；及

6)形成电连接所述漏极的像素电极，

其中，1)及5)的蚀刻剂组成物，按组成物的总重量计，包含a)2～30重量％的过氧化氢(H₂O₂)，b)0.1～5重量％的硝酸(HNO₃)，c)0.01～1.0重量％的至少一种含氟化合物，d)0.1～5重量％的至少一种唑化合物，e)0.1～8.0重量％的至少一种咪唑化合物，及f)其余为水。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述液晶显示装置用阵列基板为薄膜晶体管(TFT)阵列基板。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述蚀刻剂组成物，按组成物的总重量计，进一步包含g)0.01～5重量％的磷酸。

4.一种蚀刻铜基金属层的方法，其包含：

在基板上形成铜基金属层；

在该铜基金属层上选择性地形成感光性材料；及

使用蚀刻剂组成物蚀刻所述铜基金属层；

其中，所述蚀刻剂组成物，按组成物的总重量计，包含a)2～30重量％的过氧化氢(H₂O₂)，b)0.1～5重量％的硝酸(HNO₃)，c)0.01～1.0重量％的至少一种含氟化合物，d)0.1～5重量％的至少一种唑化合物，e)0.1～8.0重量％的至少一种咪唑化合物，及f)其余为水。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述蚀刻剂组成物，按组成物的总重量计，进一步包含g)0.01～5重量％的磷酸。

6.一种用于铜基金属层的蚀刻剂组成物，其按组成物的总重量计，包含：

a)2～30重量％的过氧化氢(H₂O₂)，

b)0.1～5重量％的硝酸(HNO₃)，

c)0.01～1.0重量％的至少一种含氟化合物，

d)0.1～5重量％的至少一种唑化合物，

e)0.1～8.0重量％的至少一种咪唑化合物，及

f)其余为水。

7.根据权利要求6所述的蚀刻剂组成物，其按组成物的总重量计，进一步包含g)0.01～5重量％的磷酸。

8.根据权利要求6所述的蚀刻剂组成物，其中c)至少一种含氟化合物包含选自氢氟化铵(NH₄FHF)、氢氟化钾(KFHF)、氢氟化钠(NaFHF)、氟化铵(NH₄F)、氟化钾(KF)，与氟化钠(NaF)所构成群组的一种或多种。

9.根据权利要求6所述的蚀刻剂组成物，其中d)唑化合物包含选自氨基四唑(aminotetrazole)、苯并三唑(benzotriazole)、甲苯基三唑(tolytriazole)、吡唑(pyrazole)，与吡咯(pyrrole)所构成群组的一种或多种。

10.根据权利要求6所述的蚀刻剂组成物，其中e)至少一种咪唑化合物包含选自咪唑、2-甲基咪唑、2-乙基咪唑、2-丙基咪唑、2-氨基咪唑、4-甲基咪唑、4-乙基咪唑，与4-丙基咪唑所构成群组的一种或多种。

11.根据权利要求6所述的蚀刻剂组成物，其不包含羧酸及磷酸盐。

12.根据权利要求6所述的蚀刻剂组成物，其中所述铜基金属层为单层的铜或铜合金、包含钼层与形成于该钼层上的铜层的铜-钼层、或包含钼合金层与形成于该钼合金层上的铜层的铜-钼合金层。