[发明专利]液晶显示装置用阵列基板的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种液晶显示装置用阵列基板的制造方法。本发明主张在2009年7月23日递交的韩国专利申请案第10-2009-0067530号与10-2009-0067531号(藉引用方式将其全文并入本说明书)的权益。

背景技术

一般而言，在半导体装置的基板上形成金属线包括使用溅射形成金属层，涂布光阻，实行曝光及显影使得在选择性区域上形成光阻，及实行蚀刻，并且在各个别程序之前或之后进行清洁程序。蚀刻程序是使用光阻作为光罩，使得在选择性区域上形成金属层而进行，及蚀刻程序一般包括使用等离子体的干式蚀刻、或使用蚀刻剂组成物的湿式蚀刻。

在此半导体装置中，金属配线的电阻近来被视为重要的。这是因为，在其诱发RC信号延迟时电阻为主要因素。特定言之，就薄膜晶体管-液晶显示装置TFT-LCD(thin film transistor-liquid crystal display)来说，其已发展相关技术以增加面板的大小和获得高分辨率。因此，为了增加TFT-LCD的大小，必然需要RC信号延迟减小，必须开发具有低电阻的材料。公知上主要使用铬(Cr，电阻率：12.7×10^-8Ωm、钼(Mo，电阻率：5×10^-8Ωm)、铝(Al，电阻率：2.65×10^-8Ωm)、及其合金，但是其实际上难以用于大型TFT-LCD的栅极及数据线。

发明内容

因而本发明提供一种用于铜(Cu)基金属层的蚀刻剂组成物，其中，在蚀刻Cu基金属层时形成具有高线性的尖锥外形，而且无蚀刻残渣。

本发明还提供一种用于Cu基金属层的蚀刻剂组成物，其可将栅极、栅线、源极/漏极、与数据线一起蚀刻。

本发明还提供一种蚀刻Cu基金属层的方法、及一种液晶显示装置用阵列基板的制造方法，其使用上述的蚀刻剂组成物。

本发明的一个方面，提供一种液晶显示装置用阵列基板的制造方法，其包含：1)使用蚀刻剂组成物蚀刻沉积在基板上的Cu基金属层而形成栅极；2)形成使栅极绝缘的栅绝缘层；3)在栅绝缘层上形成半导体层；4)形成使半导体层绝缘的绝缘层；5)在使半导体层绝缘的绝缘层上形成Cu基金属层，且使用蚀刻剂组成物蚀刻Cu基金属层，如此形成源极/漏极；及6)形成电连接漏极的像素电极，其中，1)及5)的蚀刻剂组成物，按组成物的总重量计，包含a)2～30重量％的过氧化氢(H₂O₂)，b)0.1～5重量％的硝酸(HNO₃)，c)0.01～1.0重量％的至少一种含氟(F)化合物，d)0.1～5重量％的至少一种唑化合物，e)0.1～8.0重量％的至少一种咪唑化合物，及f)其余为水。

本发明的另一个方面提供一种蚀刻Cu基金属层的方法，其包含在基板上形成Cu基金属层，在Cu基金属层上选择性地形成感光性材料，及使用蚀刻剂组成物蚀刻Cu基金属层，其中蚀刻剂组成物，按组成物的总重量计，包含a)2～30重量％的过氧化氢(H₂O₂)，b)0.1～5重量％的硝酸(HNO₃)，c)0.01～1.0重量％的至少一种含F化合物，d)0.1～5重量％的至少一种唑化合物，e)0.1～8.0重量％的至少一种咪唑化合物，及f)其余为水。

本发明进一步的一个方面提供一种Cu基金属层用的蚀刻剂组成物，其按组成物的总重量计，包含a)2～30重量％的过氧化氢(H₂O₂)，b)0.1～5重量％的硝酸(HNO₃)，c)0.01～1.0重量％的至少一种含F化合物，d)0.1～5重量％的至少一种唑化合物，e)0.1～8.0重量％的至少一种咪唑化合物，及f)其余为水。

如前所述，本发明提供一种液晶显示装置用阵列基板的制造方法。依照本发明，蚀刻剂组成物在蚀刻Cu基金属层时可形成具有优异线性的尖锥外形。又在使用依照本发明的蚀刻剂组成物蚀刻Cu基金属层时未产生蚀刻残渣，如此防止发生电短路、配线不良或低光度。又在使用依照本发明的蚀刻剂组成物制造液晶显示装置用阵列基板时，可将栅极、栅线、源极/漏极、与数据线一起蚀刻，如此大为简化蚀刻程序且将程序良率最大化。此外使用依照本发明的蚀刻剂组成物蚀刻具有低电阻的Cu或Cu合金线，因而制造一种具有实现大屏幕与高光度的电路且为环境友善的液晶显示装置用的阵列基板。

附图说明