[发明专利]半导体光学器件的制造方法、半导体光学激光元件的制造方法以及半导体光学器件有效
| 申请号： | 201080027929.3 | 申请日： | 2010-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN102474071A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 谷口英广 | 申请（专利权）人： | 古河电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/16 | 分类号： | H01S5/16 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 张远 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体光学器件的制造方法、半导体光学激光元件的制造方法以及半导体光学器件。本发明的包含半导体层的半导体光学器件的制造方法为，在半导体层叠结构(12-18)表面的第一区域上形成第一电介质膜(26)，在半导体层叠结构(12-18)表面的第二区域上形成具有比第一电介质膜(26)高的密度的第二电介质膜(25)，在由于对第二电介质膜(25)下部的半导体层进行的热处理所引起的带隙的变化量变得大于由于对第一电介质膜(26)下部的半导体层进行的热处理所引起的带隙的变化量的温度区域实施热处理，在第一电介质膜(26)下部的半导体层叠结构(12-18)上形成窗区域(23)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 光学 器件 制造 方法 激光 元件 以及 | ||
【主权项】：
一种半导体光学器件的制造方法，上述半导体光学器件包括半导体层，上述半导体光学器件的制造方法的特征为，具有：半导体层形成工序，用于形成半导体层；第一电介质膜形成工序，在上述半导体层表面的第一区域形成第一电介质膜；第二电介质膜形成工序，在上述半导体层表面的第二区域形成第二电介质膜，该第二电介质膜具有比上述第一电介质膜还高的密度；以及热处理工序，在由于对上述第二电介质膜下部的半导体层进行的热处理所引起的带隙的变化量变得大于由于对上述第一电介质膜下部的半导体层进行的热处理所引起的带隙的变化量的温度区域，实施热处理。
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