[发明专利]具有纳米线的多结光生伏打电池有效
| 申请号： | 201080026673.4 | 申请日： | 2010-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN102484147A | 公开（公告）日： | 2012-05-30 |
| 发明（设计）人： | J.M.奥尔森 | 申请（专利权）人： | 索尔伏打电流公司 |
| 主分类号： | H01L31/0352 | 分类号： | H01L31/0352;H01L31/0687;H01L31/0693;H01L31/0725;H01L31/078 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 刘春元;蒋骏 |
| 地址： | 瑞典*** | 国省代码： | 瑞典;SE |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种用于将光转换为电能的多结光生伏打电池，所述多结光生伏打电池包括衬底（3），所述衬底（3）具有表面（31），其中所述衬底（3）的所述表面（31）处的区域（4）被掺杂以使得第一p-n结（11）被形成在所述衬底（3）中。光生伏打电池具有纳米线（2），纳米线（2）被布置在所述衬底（3）的所述表面（31）上，在所述掺杂区域（4）位于所述衬底（3）中的位置处，使得第二p-n结（12）被形成在所述纳米线（2）处并与所述第一p-n结（11）串联连接。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 纳米 多结光生伏打 电池 | ||
【主权项】：
一种用于将光转换为电能的多结光生伏打电池，所述多结光生伏打电池包括衬底（3），所述衬底（3）具有表面（31），其中所述衬底（3）的所述表面（31）处的区域（4）被掺杂以使得第一p‑n结（11）被形成在所述衬底（3）中，特征在于，纳米线（2）被布置在所述衬底（3）的所述表面（31）上，在所述掺杂区域（4）位于所述衬底（3）中的位置处，使得第二p‑n结（12）被形成在所述纳米线（2）处并与所述第一p‑n结（11）串联连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索尔伏打电流公司，未经索尔伏打电流公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201080026673.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
