[发明专利]包含金属栅极与形成于绝缘结构上的含硅电阻器的半导体装置无效
| 申请号： | 201080026114.3 | 申请日： | 2010-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN102460683A | 公开（公告）日： | 2012-05-16 |
| 发明（设计）人： | A·韦;A·维特 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L27/06;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 英国开*** | 国省代码： | 英国;GB |
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| 摘要： | 在包含基于取代栅极方法所形成的精密高k金属栅极结构的半导体装置中，可实质形成数个半导体基底电阻器于数个隔离结构(103D)上方而不受该取代栅极方法影响。结果，相较于可能必须基于栅极电极金属来提供电阻结构的习知策略，可实现增强的面积效率，同时由于提供在隔离结构上方的电阻结构而依然可实现低寄生电容。 | ||
| 搜索关键词： | 包含 金属 栅极 形成 绝缘 结构 电阻器 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包含：包含栅极电极结构的晶体管组件，该栅极电极结构包含高k栅极介电材料(131)与形成于该高k栅极介电材料(131)上方的含金属电极材料(132)；以及形成于隔离结构(103D)上方的电阻器(130C)，该电阻器包含掺杂半导体材料(131)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
