[发明专利]用于交叉点存储器阵列的垂直定向的选择晶体管

摘要

本发明揭示一种垂直场效晶体管结构，其包含从半导体基底(555)竖立的半导体材料台面(320)，所述半导体材料台面(320)形成第一经掺杂区与第二经掺杂区之间的导电沟道。所述第一经掺杂区电耦合到所述基底的表面上的一个或一个以上第一硅化物层(352)。所述第二经掺杂区电耦合到所述台面的上表面上的多个第二硅化物层(351)中的一者。在所述台面的一个或一个以上侧壁上提供栅极导体(350)。电阻式存储器单元(220)可耦合到所述第二硅化物层以形成交叉点阵列。

主权项

一种晶体管结构，其包括：半导体材料基底；半导体材料台面，其从所述基底竖立；多个电隔离的第一硅化物材料元件，其位于所述台面的顶表面上；第二硅化物材料元件，其至少在所述台面的第一侧处支撑于所述半导体材料基底上以用于向所述台面供应电连接；第一区及第二区，其分别耦合到所述第一硅化物材料元件及所述第二硅化物材料元件，所述第一区及所述第二区掺杂成第一导电类型，且所述第一区与所述第二区之间的一个或一个以上沟道区掺杂成第二导电类型；及第一台面侧壁栅极结构，其提供于所述台面的所述第一侧上且包括栅极绝缘体材料及上覆栅极导体，所述第一台面侧壁栅极结构操作以控制经由所述第二硅化物材料元件与所述第一硅化物材料元件中的每一者之间的所述沟道区而穿过所述台面的电流。