[发明专利]发光二极管、发光二极管灯和照明装置有效
| 申请号： | 201080019118.9 | 申请日： | 2010-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN102414847A | 公开（公告）日： | 2012-04-11 |
| 发明（设计）人： | 濑尾则善;松村笃;竹内良一 | 申请（专利权）人： | 昭和电工株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/30 | 分类号： | H01L33/30 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 段承恩;田欣 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及发光二极管等，所述发光二极管的特征在于，具备至少含有pn结型的发光部和层叠于所述发光部的应变调整层的化合物半导体层，所述发光部具有组成式为(AlXGa1-X)YIn1-YP(在此，X和Y是分别满足0≤X≤0.1和0.39≤Y≤0.45的数值)的应变发光层与势垒层的叠层结构，所述应变调整层相对于发光波长是透明的，并且具有比所述应变发光层和所述势垒层的晶格常数小的晶格常数。根据本发明，可以提供具有655nm以上的发光波长，单色性优异，并且为高输出功率和/或高效率的响应速度快的发光二极管。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 照明 装置 | ||
【主权项】：
一种发光二极管，其特征在于，具备至少含有pn结型的发光部和层叠于所述发光部的应变调整层的化合物半导体层，所述发光部具有组成式为(AlXGa1‑X)YIn1‑YP的应变发光层与势垒层的叠层结构，其中，X和Y是分别满足0≤X≤0.1和0.39≤Y≤0.45的数值，所述应变调整层相对于发光波长是透明的，并且具有比所述应变发光层和所述势垒层的晶格常数小的晶格常数。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于昭和电工株式会社，未经昭和电工株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201080019118.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
