[发明专利]发光二极管、发光二极管灯和照明装置

权利要求书

1.一种发光二极管，其特征在于，

具备至少含有pn结型的发光部和层叠于所述发光部的应变调整层的化合物半导体层，

所述发光部具有组成式为(Al_XGa_1-X)_YIn_1-YP的应变发光层与势垒层的叠层结构，其中，X和Y是分别满足0≤X≤0.1和0.39≤Y≤0.45的数值，

所述应变调整层相对于发光波长是透明的，并且具有比所述应变发光层和所述势垒层的晶格常数小的晶格常数。

2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述应变发光层的组成式为Ga_YIn_1-YP，其中，Y是满足0.39≤Y≤0.45的数值。

3.根据权利要求1或2所述的发光二极管，其特征在于，所述应变发光层的厚度为8～30nm的范围。

4.根据权利要求1～3的任一项所述的发光二极管，其特征在于，含有8～40层的所述应变发光层。

5.根据权利要求1～4的任一项所述的发光二极管，其特征在于，所述势垒层的组成式为(Al_XGa_1-X)_YIn_1-YP，其中，X和Y是分别满足0.3≤X≤0.7和0.48≤Y≤0.52的数值。

6.根据权利要求1～5的任一项所述的发光二极管，其特征在于，

所述发光部在所述应变发光层的上面和下面的一方或两方具有覆盖层，

所述覆盖层的组成式为(Al_XGa_1-X)_YIn_1-YP，其中，X和Y是分别满足0.5≤X≤1和0.48≤Y≤0.52的数值。

7.根据权利要求1～6的任一项所述的发光二极管，其特征在于，所述应变调整层的组成式为(Al_XGa_1-X)_YIn_1-YP，其中，X和Y是分别满足0≤X≤1和0.6≤Y≤1的数值。

8.根据权利要求1～6的任一项所述的发光二极管，其特征在于，所述应变调整层的组成式为Al_XGa_1-XAs_1-YP_Y，其中，X和Y是分别满足0≤X≤1和0.6≤Y≤1的数值。

9.根据权利要求1～6的任一项所述的发光二极管，其特征在于，所述应变调整层的材质为GaP。

10.根据权利要求1～9的任一项所述的发光二极管，其特征在于，所述应变调整层的厚度为0.5～20μm的范围。

11.根据权利要求1～10的任一项所述的发光二极管，其特征在于，在所述化合物半导体层的与光取出面相反的一侧的表面接合有功能性基板。

12.根据权利要求11所述的发光二极管，其特征在于，所述功能性基板是透明的。

13.根据权利要求11或12所述的发光二极管，其特征在于，所述功能性基板的材质为GaP。

14.根据权利要求11～13的任一项所述的发光二极管，其特征在于，所述功能性基板的侧面具有：在接近所述化合物半导体层的一侧相对于所述光取出面大致垂直的垂直面；和在远离所述化合物半导体层的一侧相对于所述光取出面向内侧倾斜的倾斜面。

15.根据权利要求11～14的任一项所述的发光二极管，其特征在于，还具备：

设置在所述化合物半导体层的所述光取出面侧的第1和第2电极；和

设置在所述功能性基板的背面的连接用的第3电极。

16.根据权利要求15所述的发光二极管，其特征在于，所述第1和第2电极为欧姆电极。

17.根据权利要求11～16的任一项所述的发光二极管，其特征在于，所述光取出面包含粗糙的面。